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SK하이닉스, 세계 최초 321단 낸드 양산 돌입
SK하이닉스, 세계 최초 321단 낸드 양산 돌입
  • 이선행 기자
  • 승인 2024.11.21 09:41
  • 댓글 0
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당초 2025년 상반기 양산 일정 앞당겨
SK하이닉스가 세계 최고층인 321단 1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드 플래시를 양산에 돌입했다고 21일 발표했다.

회사는 지난해 8월 미국 산타클라라에서 개막한 플래시 서밋 2023에서 이 제품의 개발 경과를 발표하고 개발 단계 샘플을 전시한 바 있다. 세계 최초로 300단 이상 낸드를 선보이며, “제품의 완성도를 높여 2025년 상반기부터 양산할 것”이라고 말했다. 

양산 일정이 예정보다 앞당겨졌다. 하이닉스는 “내년 상반기부터 고객사에 제품을 공급할 예정”이라는 추가 일정도 공개했다.  SK하이닉스는 2023년 6월부터 전 세대 최고층 낸드인 238단 제품을 양산해 시장에 공급해오고 있다. 238단 낸드의 개발 플랫폼은 321단에도 적용됐다. 공정 변화가 최소화돼, 생산성은 전 세대보다 59% 향상됐다. ▲데이터 전송 속도는 12% ▲읽기 성능은 13% 향상 ▲전력 효율은 10% 이상 높아졌다. 적층 한계를 극복하기 위해 새 기술도 도입했다. ‘3-플러그(Plug)’ 공정이다. 플러그는 여러 층의 기판을 쌓은 뒤 셀을 한 번에 형성하기 위해 내는 수직 구멍을 말한다. 세 번에 나누어 플러그 공정을 진행 한 후, 최적화된 후속 공정을 거쳐 3개의 플러그를 전기적으로 연결한다. 이 과정에서 플러그 안에 채우던 물질을 바꿔서 변형을 줄였다. 플러그 간 자동 정렬(alignment) 보정 기술도 도입했다.  SK하이닉스는 321단 낸드로 인공지능(AI)향 저전력∙고성능 신규 시장에도 적극 대응해 활용 범위를 점차 넓혀갈 계획이다. 최정달 SK하이닉스 부사장(NAND개발 담당)은 “고대역폭메모리(HBM)로 대표되는 D램은 물론, 낸드에서도 초고성능 메모리 포트폴리오를 완벽하게 갖춘 ‘풀스택(Full Stack) AI 메모리 프로바이더(Provider)’로 도약할 것”이라고 말했다.



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