삼성전자, HKMG 공정 첫 적용한 '512GB DDR5 메모리' 개발

DDR5 메모리 전환 가속화 위해 인텔과 협력 '강화'

2021-03-25     이나리 기자
삼성전자가 업계 최대 용량의 512GB DDR5 메모리 모듈을 개발했다고 25일 밝혔다. 동시에 인텔과 협력을 강화해 차세대 D램인 DDR5로 전환에 속도를 낸다. DDR5는 지난해 상용화한 5세대 D램이다. 기존의 DDR4 대비 2배 이상 빠른 처리 속도의 성능을 자랑한다. 향후 데이터 전송속도가 7200Mbps로도 확장될 전망이다. 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편 정도를 처리할 수 있는 속도다. 삼성전자가 개발한 DDR5는 업계 최초로 '하이케이 메탈 게이트(HKMG)' 공정을 적용한 점이 특징이다. 기존 공정 대비 전력 소모를 약 13% 감소시킬 수 있다. 데이터센터와 같이 전력효율이 중요한 응용처에서 활용도가 높을 전망이다.  동시에 유전율 상수(K)가 높은 물질을 공정에 적용해 고성능과 저전력을 동시에 구현했다. 메모리 반도체 공정의 미세화에 따른 누설 전류를 막기 위해서다.  이 DDR5는 범용 D램 제품 중 처음으로 8단 실리콘 관통 전극(TSV, Through Silicon Via) 기술이 적용됐다. 삼성전자는 2014년 세계 최초로 범용 DDR4 메모리에 4단 TSV 공정을 적용한 바 있다.  손영수 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 상무는 "HKMG 공정이 적용된 DDR5 메모리는 뛰어난 성능과 높은 에너지 효율로 자율주행, 스마트시티, 의료산업 등 고성능 컴퓨터의 발전 가속화시킬 것으로 기대된다"며 "DDR5 메모리를 차세대 컴퓨팅 시장의 고객 수요에 따라 적기에 상용화할 계획"이라고 밝혔다.  캐롤린 듀란 인텔 메모리 & IO 테크놀로지 총괄 부사장은 "인텔 제온 스케일러블 프로세서인 사파이어 래피즈와 호환되는 DDR5 메모리를 선보이기 위해 삼성전자와 긴밀하게 협력하고 있다"고 전했다.