ST마이크로, 최대 200W 전력변환 지원 '마스터GaN4' 출시
프로토타입 보드 지원
2021-04-14 이나리 기자
ST마이크로일렉트로닉스(ST)가 최대 200W의 고효율 전력변환을 지원하는 마스터GaN4 디바이스를 출시했다고 14일 밝혔다.
이 전력 패키지는 225mΩ RDS(on)을 제공하는 2개의 대칭형 650V 질화갈륨(GaN) 전력 트랜지스터와 게이트 드라이버, 회로 보호 기능을 통합하고 있다. 3.3V~15V에 이르는 입력 전압 허용오차를 제공하기 때문에 마이크로컨트롤러, 디스플레이처리장치(DSP), 프로그래머블반도체(FPGA), 홀-효과(Hall-Effect) 센서, CMOS 디바이스에 직접 패키지를 연결해 제어할 수 있다.
4.75V~9.5V에 이르는 넓은 공급 전압 범위를 지원하므로 기존 전원 레일에 편리하게 연결할 수 있다. 게이트 드라이버 인터로크, 로우-사이드 및 하이-사이드 UVLO(Under-Voltage Lockout), 과열 보호 등의 기능을 통해 설계를 간소화해준다. 전용 셧다운 핀도 제공된다.
GaN 트랜지스터를 활용하면 작은 마그네틱 부품과 히트싱크를 적용해 보다 소형 및 경량으로 전원공급장치, 충전기, 어댑터를 구현할 수 있다. 그 밖에 대칭형 하프-브리지 토폴로지, 액티브 클램프 플라이백,액티브 클램프 포워드와 같은 소프트-스위칭 토폴로지에도 사용될 수 있다.
ST는 전용 프로토타입 보드(EVALMASTERGAN4)도 출시했다. 이 보드는 조정 가능한 데드타임 생성기가 제공된다. 사용자는 별도의 입력 신호나 PWM 신호를 적용하고, 외부 부트스트랩 다이오드를 삽입할 수 있다. 로직 및 게이트 드라이버 전원 레일을 분리하고 피크 전류 모드 토폴로지를 위해 로우-사이드 션트 저항을 사용할 수 있다.
마스터GaN4 는 2mm 이상의 연면거리를 갖춘 9mm x 9mm x 1mm GQFN 패키지로 현재 생산 중이다. 가격은 1000개 구매 시 5.99달러에서 시작한다. EVALMASTERGAN4 보드는 87달러다.