넥스페리아는 2세대 650V 전력 질화갈륨(GaN) FET 소자 제품군 대량 공급을 개시했다고 27일 밝혔다.

이 전력 질화갈륨 FET는 RDS(on) 성능을 35mΩ(일반)까지 낮췄다. 2kW에서 10kW까지 이르는 단상 AC/DC 및 DC/DC 산업용 전환 모드 전원 공급 장치(SMPS)에 활용도가 높다. 특히 80PLUS 티타늄 효율 규정을 충족해야 하는 서버, 통신 관련 제품에 적합하다. 이 소자들은 또한 동일한 전력 범위에서 태양광 인버터, 서보 드라이브에 활용될 수 있다. 

패키지는 TO-247로 제공된다. 다이 크기를 36% 줄여서 안정성과 효율성을 높일 수 있다. 이 소자들의 다단 증폭용 캐스코드 구성은 복잡한 드라이버의 필요성을 없애고 출시시간을 단축시켜 준다. 하드 스위칭 및 소프트 스위칭 성능은 제품 설계에 유연성을 제공한다.

딜더 초드리 넥스페리아의 질화갈륨 전략 마케팅 책임은 "티타늄은 80PLUS 사양 중 가장 까다로운 내용으로 전체 부하 조건에서 91%이상의 효율을, 50% 부하 조건에서 96% 이상의 효율을 요구한다"며 "2kW 이상의 서버 전원 제품 분야에서 기존의 실리콘 소자를 사용해 이런 성능을 달성하는 것은 어려운 일이다"라고 설명했다. 이어 "이번에 대량 공급을 시작한 전력 질화갈륨 FET는 더 적은 부품을 사용해 물리적 크기와 비용을 모두 줄이는데 효과적이다"라고 말했다. 

넥스페리아 GAN041-650WSB 질화 갈륨 FET는 현재 대량 공급이 가능하다.