마이크로칩테크놀로지가 실리콘 카바이드(SiC) 포트폴리오를 확장한다고 28일 밝혔다. 이를 위해 1700V 실리콘카바이드 모스펫(MOSFET) 다이, 디스크리트 및 파워 모듈을 새로 선보였다.

마이크로칩의 1700V 실리콘카바이드 기술은 기존 실리콘 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT)의 대안이다. 이전까지 개발자는 실리콘 IGBT의 손실에 따른 스위칭 주파수 제한으로 인해 성능의 일부를 포기하면서 복잡한 토폴로지를 사용할 수밖에 없었다. 또 변압기로 인해 전력 전자 시스템의 크기와 무게가 비대해짐에 따라 스위칭 주파수를 늘려 이를 절감해왔다.

하지만 실리콘카바이드를 사용하면 부품 수를 줄이고 효율성을 높일 수 있다. 제어 방식을 간소화한 2-레벨 토폴로지 사용도 가능하다. 스위칭 제한 없이 전력 전환 장치의 크기 및 무게를 절감할 수도 있다. 적은 시스템 비용으로 더 많은 충전소 공간을 구축할 수 있는 셈이다. 고중량 차량, 전기 버스, 기타 배터리 구동 상용차의 범위 및 동작 시간을 확장할 수 있는 특징도 있다.

마이크로칩의 SiC 솔루션은 게이트 산화물 안전성을 높였다. 반복 UIS(R-UIS) 테스트를 10만회 수행한 후에도 임계 전압에 변화가 없었다. R-UIS 테스트에서 우수한 애벌런치 견고성 및 파라미터 상의 안정성을 증명했다. 

제품군 바디 다이오드는 성능 저하가 없고, 실리콘 카바이드 MOSFET이 탑재돼 외부 다이오드가 필요하지 않다. 단락 회로 내구성은 IGBT와 비슷한 수준이며 유해한 전기 과도현상을 견딜 수 있다. 0°C~175°C의 접합 온도에서 보다 평평한 RDS(on) 곡선을 사용한다. 

마이크로칩은 SiC 솔루션용 개발도구를 지원한다. MPLAB 민디(Mindi) 아날로그 시뮬레이터와 호환 가능한 실리콘카바이드 SPICE 시뮬레이션 모델이 제공된다. 또 인텔리전트 컨피규레이션 툴(ICT)은 마이크로칩의 애자일스위치 디지털 프로그래머블 게이트 드라이브 제품군에  모델링을 지원하는 개발도구다.