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삼성전자, 14나노 EUV 적용한 'LPDDR5X' D램 업계 최초 개발

고성능·고용량·저전력 특성으로 차세대 5G 서비스에 최적화

2021-11-09     장경윤 기자

삼성전자가 업계 최선단인 14나노 EUV(극자외선) 멀티레이어 공정을 적용한 차세대 D램을 개발했다. 기존 LPDDR5 대비 성능·전력효율을 모두 개선했다. 삼성전자는 이 제품 라인업을 확대해 고용량 D램 수요에 적극 대응할 계획이다.

삼성전자는 'LPDDR5X (Low Power Double Data Rate 5X)'를 업계 최초로 개발했다고 9일 밝혔다.

LPDDR5X는 5G·AI·메타버스 등 미래 첨단 산업에 최적화된 메모리 솔루션으로, 한층 향상된 속도·용량·절전이 특성이다. 업계 최선단 공정인 14나노 EUV 멀티레이어 공정을 통해 개발했다. 5개의 레이어에 EUV를 활용함으로써 미세 회로를 구현함과 동시에 생산성도 높일 수 있다.

LPDDR5X의 동작 속도는 현존하는 모바일 D램 중 가장 빠른 최대 8.5Gbps다. 이전 세대 제품 LPDDR5의 동작속도도 6.4Gbps 대비 1.3배 빠르다. 또한 선단 공정 적용을 통해 기존 LPDDR5 대비 소비전력 효율도 약 20% 개선했다.

삼성전자는 2018년 세계 최초로 8Gb LPDDR5 D램을 개발한데 이어 이번 LPDDR5X를 개발하는 등 D램 시장에서의 기술 경쟁력을 강화하고 있다. 향후에도 삼성전자는 LPDDR5X의 단일칩 용량을 16Gb으로 개발하고, 모바일 D램 단일 패키지 용량을 최대 64GB까지 확대해 고용량 D램 수요에 적극 대응할 계획이다.

삼성전자 메모리사업부 DRAM설계팀 황상준 전무는 "최근 증강현실, 메타버스, AI 등 고속으로 대용량의 데이터 처리가 필요한 첨단 산업이 확대되고 있다"며 "이번 LPDDR5X를 통해 모바일 시장뿐만 아니라 서버, 오토모티브 시장까지 고성능 저전력 메모리 수요를 창출할 계획"이라고 말했다.