오로스테크놀로지가 EUV(극자외선) 포토공정 전용 오버레이 계측장비 개발에 나섰다. 기존 장비의 일부 모듈을 EUV 공정에 최적화된 모듈로 교체하는 방식을 구상 중으로, 현재 개발 초기 단계에 진입한 것으로 알려졌다. 

11일 업계에 따르면 오로스테크놀로지는 최근 EUV 공정을 타겟으로 한 오버레이 계측장비 개발에 착수했다. 

오버레이 계측장비는 웨이퍼 상부층과 하부층의 전자회로 패턴 간 정렬 상태를 검사하는 장비다. 상부 패턴과 하부 패턴이 어긋나는 경우 반도체 성능에 문제가 생길 수 있는데, 오버레이 장비는 이 오차를 0.5nm의 미세한 수준까지 측정할 수 있다.

오버레이 계측장비는 방식에 따라 광학 기술을 활용하는 IBO(Image Based Overlay)와 회절 현상을 활용하는 DBO(Diffraction Based Overlay)로 나뉜다. IBO는 DBO 대비 계측 정밀성은 떨어지나 속도가 빠르다는 장점이 있으다. 시장에서의 비중도 IBO와 DBO가 7:3 혹은 8:2 수준으로 형성돼 있다.

현재 오로스테크놀로지는 IBO 방식의 오버레이 계측장비를 생산 중이다. 국내외 반도체 제조업체의 ArF(불화아르곤) 및 EUV 팹에 모두 장비를 공급하고 있다. 다만 초미세 반도체 회로 구현을 위해 매우 정밀한 계측 능력을 요구하는 EUV 공정에서는 IBO보다 DBO 오버레이 계측장비에 대한 수요가 더 높은 추세다.

이에 오로스테크놀로지는 EUV 공정에 최적화된 IBO 오버레이 계측장비 개발에 착수했다. ArF 및 EUV 공정에 모두 대응이 가능했던 기존 장비에서 렌즈, 광학 부품 등 일부 모듈을 EUV 공정에 최척화된 모듈로 교체하는 방식으로 커스터마이징할 계획이다. EUV의 파장은 기존 불화아르곤(139nm) 대비 14분의 1 수준인 13.5nm다. 이 EUV 파장에 맞춘 모듈을 사용하면 렌즈 수차 오류를 개선해 계측장비의 신뢰성을 한층 더 높일 수 있다.

오로스테크놀로지 관계자는 "주요 반도체 제조업체를 중심으로 EUV 공정이 활발하게 도입되는데 맞춰, 기술 경쟁력 강화를 위해 EUV 공정 전용 오버레이 계측장비를 개발하기로 했다"며 "신규 개발이 아닌 기존 장비를 커스터마이징하는 방식이기 때문에 큰 비용 지출 없이도 개발이 가능할 것"이라고 설명했다.