텔레다인르크로이는 새로운 1GHz DL-ISO 고전압 와이드밴드갭(WGB) 프로브 및 전력 반도체 소자 테스트 소프트웨어를 출시했다고 14일 밝혔다. 

새로운 텔레다인르크로이 DL-ISO 고전압 WGB 프로브는 설계 엔지니어에게 가장 신뢰도가 높은 GaN 및 SiC 전력 반도체 디바이스 측정을 제공한다. 이 새로운 프로브는 업계 최고의 12비트 해상도 HDO와 결합했을 때 1.5%에 달하는 최고의 신호 충실도, 가장 낮은 오버슈트 및 최고의 정확도를 나타낸다.1GHz 대역폭은 GaN 장치 1ns 상승 시간을 측정하기 위한 요구 사항을 충족한다.

또한 HDO는 고속 GaN 및 SiC 장치 신호의 가장 충실한 신호 포착 및 관측 및 측정을 할 수 있도록 12비트 해상도로 최대 20 GS/s의 샘플링 속도를 제공한다. 최상의 신호 충실도, 낮은 오버슈트, 높은 정확도, 높은 대역폭 및 높은 샘플링 속도 조합은 새로운 설계에서 GaN 및 SiC 기술을 성공적으로 구현하기 위해 매우 중요하다.

텔레다인르크로이의 새로운 파워 디바이스 소프트웨어 패키지는 JEDEC에서 기술하고 있는 오실로스코프를 이용한 스위칭 손실 측정방법을 자동화해 GaN 및 SiC 디바이스 손실 측정을 간단하게 수행할 수 있다. Turn-on, Turn-off 등의 측정 대상 영역을 하이라이트한 컬러 오버레이 기능으로 구분해 표시한다.