SK하이닉스, UFS 최신 규격에 V7 및 V8 낸드 주력 탑재
238단 V8 낸드, 세계 최초 개발…내년 상반기 양산 예정
2022-08-16 장경윤 기자
SK하이닉스가 차세대 내장 플래시 메모리인 UFS(유니버설 플래시 스토리지)의 최신 규격 제품에 현존 최고층인 238단 낸드(V8)를 적용한다. 이르면 내년 상반기 양산이 가능할 전망이다.
16일 반도체 업계에 따르면 SK하이닉스는 8세대 238단 V낸드플래시를 탑재한 최신 규격의 UFS를 이르면 내년 상반기 양산할 계획이다.
UFS는 국제 반도체표준화기구인 제덱(JEDEC)의 내장 메모리 인터페이스를 적용한 플래시 메모리다. 스마트폰, 태블릿 등 모바일 가전기기를 위해 제정된 차세대 규격이다. 기존 규격인 MMC(멀티 미디어 카드) 대비 데이터 처리속도 및 전력 효율이 훨씬 뛰어나다.
특히 지난 5월 정식 승인된 최신 규격인 UFS 4.0의 경우 데이터 전송 대역폭이 23.2Gbps로 이전 UFS 3.1 대비 2배 높다. 대역폭이 넓을수록 데이터 처리 속도 역시 더욱 더 빨라진다.
UFS 4.0 메모리의 개발 및 양산 계획을 가장 먼저 알린 기업은 삼성전자다. 삼성전자는 지난 5월 UFS 4.0 메모리를 세계 최초로 개발, 이달부터 본격적인 양산에 돌입한다. 삼성전자의 UFS 4.0 메모리는 자체 개발한 UFS 4.0 컨트롤러와 7세대 176단 낸드(V7)를 탑재했으며, 연속읽기와 연속쓰기 속도는 각각 4200MB/s, 2800MB/s다. 패키지는 가로 11mm, 세로 13mm, 높이 1.0mm로 구현했다.
SK하이닉스 역시 UFS 4.0 메모리에 대한 구체적인 개발 계획을 수립했다. SK하이닉스는 UFS 4.0 메모리에 V7 및 V8 낸드를 주력으로 탑재할 예정이다. 이 중 V8은 SK하이닉스가 세계 최초로 개발한 현존 최고층인 238단 낸드로, 이전 세대인 176단 대비 전송 속도가 뛰어나다. 기존 3D 패키징 대비 단위당 셀 면적이 줄어들면서도 생산효율이 높은 4D 기술이 적용된 것도 주요 특징이다.
SK하이닉스가 개발 중인 UFS 4.0 메모리의 데이터 처리 속도는 연속 읽기가 4000MB/s, 연속 쓰기가 2800MB/s 수준이다. 폼팩터는 가로 11mm, 세로 13mm, 높이 0.8mm로 매우 얇은 패키지 형태다.
현재 SK하이닉스는 238단 낸드 샘플을 주요 고객사에 공급한 상황으로, 내년 상반기 양산에 나설 계획이다. 이에 따라 V8 낸드를 탑재한 UFS 4.0 메모리도 이르면 내년 상반기부터 양산이 가능해질 것으로 전망된다.