국내 8인치 파운드리 업체 DB하이텍이 차세대 전력반도체 소재인 SiC(실리콘카바이드) 개발에 속도를 내고 있다. 상우캠퍼스 내 장비 투자를 통해, 이르면 내년 8인치 SiC 전력반도체 양산을 위한 공정 개발 및 평가를 진행할 것으로 알려졌다.  

30일 업계에 따르면 DB하이텍은 이르면 내년부터 8인치 SiC 전력반도체 공정 개발 및 평가에 들어갈 계획이다.

현재 DB하이텍은 차세대 화합물반도체인 SiC, GaN(질화갈륨) 분야를 동시에 개발하고 있다. GaN의 경우 올해부터 8인치 웨이퍼 기반의 공정 개발을 시작했다. 2~3년 내 개발을 완료하는 것을 목표로 두고 있다. SiC는 6인치 웨이퍼 기반 전력반도체를 개발하기 위해 부산테크노파크 파워반도체상용화센터와 협력 중이다.

DB하이텍이 8인치에 앞서 6인치 SiC 공정 개발에 먼저 나선 이유는 인프라의 영향이 크다. 현재 SiC 웨이퍼는 6인치가 주류를 이루고 있으며, 8인치는 본격적인 상용화를 앞두고 있다. 때문에 DB하이텍은 먼저 비교적 수급이 원활한 6인치 SiC 전력반도체에 대한 노하우를 쌓고, 이를 토대로 8인치 기반의 SiC 전력반도체 양산에 나설 계획이다.

이를 위해 DB하이텍은 이르면 내년 상우캠퍼스 내 유휴부지에 8인치 SiC 전력반도체 개발 및 양산을 위한 장비 투자를 진행한다. 상우캠퍼스는 주로 90nm~180nm 급의 CMOS 이미지센서, 혼합신호 IC 등을 생산하는 라인으로, 총 2층 건물로 지어졌다. DB하이텍은 이 중 1개층만을 사용해 공장을 가동해왔다. 

DB하이텍 관계자는 "SiC용 설비가 별도로 필요해 이를 추가 투자하고, 부족한 장비는 아웃소싱을 통해 해결하려고 한다"이라며 "빠르면 내년부터 상우캠퍼스에서 8인치 공정에 대한 개발 및 평가를 진행할 수 있을 것"이라고 밝혔다.

SiC는 기존 반도체 소재인 실리콘 대비 고온에 대한 내구성이 뛰어나며, 밴드갭이 3배가량 넓어 전력 효율성이 높다. 차세대 전력반도체 소재로서 자동차, 에너지, 산업 시스템, 통신 인프라 등 다양한 분야에서 활용도가 점차 증가는 추세다. 특히 전기차(EV)용 메인 인버터(트랙션 인버터) 등 자동차 산업에서 수요가 많다.

시장조사업체 욜디벨롭먼트는 SiC 파워디바이스(전력소자) 시장이 2021년 10.9억 달러에서 오는 2027년 62.97억 달러로 연평균 34% 성장할 것으로 내다봤다.