SK하이닉스, 모바일 D램 최초 'HKMG' 적용한 LPDDR5X 양산 돌입
이전 세대 대비 소비전력 25% 감소 및 33% 빠른 동작 속도 구현
2022-11-09 장경윤 기자
SK하이닉스가 이전 세대 대비 성능과 전력효율성을 동시에 높인 모바일용 D램을 개발해 최근 양산에 들어갔다.
SK하이닉스는 세계 최초로 모바일용 D램에 'HKMG(하이케이메탈게이트)' 공정을 도입한 LPDDR5X(Low Power Double Data Rate 5X) 개발을 완료하고 최근 판매를 시작했다고 9일 밝혔다.
모바일용 D램으로 불리는 LPDDR은 주로 스마트폰이나 노트북, 태블릿 PC 등 무선 전자기기에 사용되는 D램이다. 모바일의 경우 전력이 한정돼 있기 때문에, 제품의 사용 시간을 늘리기 위해선 전력소비를 최대한 줄여야 한다.
SK하이닉스의 이번 제품은 국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 정한 초저전압 범위인 1.01~1.12V에서 작동하면서, 이전 세대 대비 소비전력을 25% 줄였다. 또한 이번 LPDDR5X는 이전 세대 대비 33% 빠른 8.5Gbps의 동작 속도를 구현했다.
SK하이닉스는 LPDDR에 낮은 소비전력, 빠른 동작 속도를 동시에 구현하기 위해 모바일용 D램 최초로 HKMG 공정을 적용했다. HKMG은 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해, 누설 전류를 막고 정전용량을 개선한 차세대 반도체 공정 기술이다. 유전율은 전하를 저장할 수 있는 정도를 뜻한다.