삼성, 1z D램 양산에 EUV 첫 적용... 연말 스타트

ArF 이머전 장비로 첫 양산 후, 11월 EUV 버전 추가 양산

2019-06-12 한주엽 기자

삼성전자는

삼성전자가 극자외선(EUV) 노광 기술을 D램 양산 라인에 접목한다. 파운드리 분야에선 EUV 노광 기술로 양산 제품이 출하된 바 있으나 메모리 업계에선 이번이 첫 적용이다. EUV 기술이 적용되는 패터닝 공정에선 여러 회에 걸쳐 새겨야 했던 회로를 한 번에 그리는 것이 가능하다. 전문가는 기술 적용이 성공적으로 이뤄지고, 고도화 과정을 거치면 원가를 보다 낮출 수 있다고 설명했다. 12일 업계에 따르면 삼성전자는 오는 9월 3세대 10나노급 D램인 1z 제품 양산에 돌입한다. 이 제품은 EUV가 아닌 기존 불화아르곤(ArF) 액침(液浸, immersion) 노광 장비가 활용된다. 삼성전자는 지난 3월 1z D램 개발 발표 때 “초고가 EUV 장비를 사용하지 않고도 기존 1y D램보다 생산성을 20% 이상 향상시켰고, 속도 증가로 전력효율 역시 개선됐다”고 밝힌 바 있다. EUV 노광 기술을 적용한 1z D램은 현재 계획상으로는 11월부터 양산이 이뤄지는 것으로 잡혀 있다. 삼성전자는 D램에 EUV 기술을 첫 도입하는 만큼 위험부담을 최소화하기 위해 설계를 양 갈래로 했다. 1z D램 생산에서 EUV 노광 기술이 접목되는 구간은 비트라인(Bitline) 패드가 닿는 1개 레이어(BLP)인 것으로 전해졌다. D램은 커패시터 전하 저장 유무로 0과 1을 판단한다. 데이터(전하)는 비트라인을 통해 들어오고, 트랜지스터를 지나 커패시터에 저장되는 구조다. 비트라인은 데이터가 들락날락하는 통로인 셈이다. BLP 레이어에 EUV 기술을 최우선 적용하는 이유는 기존 노광 장비로 패터닝을 수 차례 해야 하는 가장 까다로운 공정이기 때문이다. 이 공정에 EUV 기술을 성공적으로 접목하면 패터닝 횟수가 줄어들어 원가를 낮출 수 있을 것으로 기대된다. 삼성전자는 1z D램에선 1개 레이어에 EUV를 적용하지만 차세대인 1a에선 4개, 차차세대인 1b 공정에선 5개 레이어로 차츰 EUV 접목 구간을 늘려나간다는 계획을 세워뒀다. 1z D램의 경우 초기 양산은 화성 17라인에서 파운드리사업부와 EUV 장비를 공유해서 쓰지만, 추후 평택에서도 EUV D램 양산을 시작, 확대할 계획이다. 업계 관계자는 “D램은 파운드리 물량 대비 생산량이 월등히 많기 때문에 EUV 관련 장비와 부품, 재료를 대는 후방 산업계는 매출이 확대될 수 있다는 기대를 하고 있다”고 설명했다. 경쟁사인 SK하이닉스도 삼성전자와 마찬가지로 차세대 혹은 차차세대 D램에 EUV 공정을 접목하겠다는 계획을 갖고 수 년 전부터 EUV 테스트 장비를 활용해 연구개발(R&D)을 적극 추진 중인 것으로 알려졌다.

반도체 EUV 기술 글로벌 콘퍼런스 안내 : 6월 19일 엘타워 7층

EUV 기술은 최근 반도체 업계 최대 화두로 떠올랐습니다. 전자부품 전문 미디어 디일렉은 국내 미디어 최초로 EUV 생태계에 속한 전문가를 모시고 관련 업계의 기술 트렌드, 과제와 미래를 조망하는 글로벌 테크 콘퍼런스를 오는 6월 19일 개최합니다. 이날 행사에선 6월 10일(현지시간)부터 13일까지 미국 캘리포니아에서 열리는 ‘2019 EUVL 워크숍(//euvlitho.com)’의 주요 발표를 되짚는 리뷰 세션도 준비돼 있습니다. 삼성전자와 SK하이닉스는 물론 EUV 생태계에 속한 국내외 다양한 장비 재료 회사가 나와서 기술과 시장의 변화점을 소개합니다. 멘토 지멘스 비즈니스, KLA, 에드워드, JSR-EM, 칼자이즈 SMT, 인테그리스 등에서는 본사에서 전문가가 참석해 최신 기술 동향을 공유합니다. 동시통역이 준비돼 있습니다.반도체 등 전자부품 전문 미디어 디일렉이 기획 주관한 차별화된 콘퍼런스입니다. 새로운 정보로 새로운 사업 기회를 잡으시기 바랍니다. 많은 관심 부탁드립니다.

- 행사 개요 -

행사 : Moore’s Law를 지속시킬 첨단 반도체 공정 기술, EUV 생태계 콘퍼런스
주최 : 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합
주관 : 전자부품 전문미디어 디일렉(bestwatersport.com)
일시 : 2019년 6월 19일(수) 09:30~18:00
장소 : 양재동 엘타워 7층 그랜드볼룸등록비용 : 33만원(부가세 포함)규모 : 250명

*동시통역 지원, 발표 책자, 점심식사 및 커피와 다과 제공

- 프로그램 -

시작시간	발표주제	연사
09:30	등록
09:55	인사말	한국반도체산업협회
10:00	EUV : Enabling cost efficiency, tech innovation and future industry growth	ASML코리아, 최기보 Strategic Marketing Korea 이사
10:30	D램 양산 적용 위한 EUV 개발 현황과 과제	SK하이닉스, 임창문 미래기술연구원 연구위원
11:00	삼성 파운드리 사업부 EUV 개발 및 적용 현황	삼성전자, 전용주 Ph.D, Principal Professional
11:30	EUV in manufacturing : Unprecedented requirements and sub-atomic accuracy	멘토 지멘스 비즈니스, John Sturtevant, Director, Calibre Modeling & Verification Solution
12:00	점심시간
13:00	EUV 기술 생태계 도전과 과제(2019 EUVL 워크숍 리뷰)	한양대학교, 안진호 교수
13:30	Actinic EUV mask 검사 장비 개발 현황	에프에스티 계열 @E-SOL, Inc. 이동근 CTO 부사장
14:00	EUV Challenges & MI Solutions	KLA, Andrew Cross Process Control Solutions Project Director
14:30	EUV in the Subfab - An outlook into HVM	에드워드, Dr. Anthony Keen Technology Manager, EUV
15:00	커피 브레이크
15:30	Advanced Lithography Material Status toward 5nm Node and beyond	JSR Electronic Materials, Takanori KAWAKAMI General Manager
16:00	Enabling continued shrink : EUV lithography and infrastructure	칼자이즈 SMT, Bernd Geh Senior Principle Scientist
16:30	Wafer & Reticle Handling Technology for EUV Fabs	인테그리스, Dr. Poshin Lee Technology Management Director
17:00	EUV Simulation readiness with Rigorous simulator	시높시스, 최중회 Silicon Engineering Group Mask Synthesis Application Engineering Manger(이사)
17:30	EUV 펠리클 기술개발 현황	에스앤에스텍, 이창훈 신기술개발팀 이사