[알립니다] '한계돌파! D램의 진화'....차세대 메모리공정 콘퍼런스
차세대 메모리공정 장비·소재·기술 콘퍼런스
6월 8일, 서울 역삼동 포스코타워에서 개최
삼성전자, SK하이닉스 등 최신 기술동향 발표
2023-05-24 디일렉(관리자)
전 세계 반도체 시장에서 메모리가 차지하는 비중은 35~40% 수준입니다. 전체 메모리 중 D램은 70% 매출 비중을 차지합니다. 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론이 과점하고 있는 시장이기도 합니다. 생산량은 굉장히 많습니다. 주요 메모리 3사의 D램 생산량은 월 300mm 웨이퍼 투입 기준 100만장을 상회하는 것으로 전해지고 있습니다. 극자외선(EUV) 노광 장비 분야의 향후 전망을 밝게 보는 이유도 로직 파운드리 분야에 이어 D램에도 EUV 적용이 순차로 이뤄지고 있기 때문입니다.
차세대 메모리에도 관심이 높습니다. 인공지능(AI) 바람을 타고 프로세싱 인 메모리(PIM)와 새로운 인터페이스인 컴퓨트 익스프레스 링크(CXL)에 기반한 새로운 제품군을 주요 메모리 기업이 내놓고 있습니다. M램, Re램, P램 등 이른바 신소재와 신구조의 메모리가 뜰 것이라던 10년 전 전망과는 달리 기존 메모리의 발전 우위로 뉴 메모리의 시장 장악은 요원한 것으로 보이는 것 또한 사실입니다. 때문에 고대역폭메모리(HBM), PIM, CXL 등 새로운 기술들이 나오고 있는 것이지요.
물론 공정 면에선 순차적 혁신만 있을 것으로 보이지는 않습니다. 최근 몇년간 D램 업계는 스케일링의 한계를 뛰어넘기 위해 EUV를 도입하며 비싼 수업료를 치르고 있습니다. 그럼에도 불구 향후 5년 혹은 그보다 이른 시기에 다시금 스케일링 한계에 다다를 수 있다는 우울한 전망이 나옵니다.
현재 D램 업계의 최선단 공정은 12nm입니다. 삼성전자가 최근 12nm 양산 소식을 발표했고, SK하이닉스도 조만간 양산 단계에 접어들 것으로 예상됩니다. 하지만 12nm를 넘어, 그 다음 공정으로 넘어가는 기술개발의 벽은 점점 더 높아질 겁니다.
업계에선 D램 공정 쉬링크(shrink)의 물리적 한계를 7nm로 보고 있습니다. 그 때까지 공정 미세화를 위해 주요 반도체 소자기업들은 갖은 방법을 연구 및 검토 중입니다. 평면형 D램에서 3D로의 구조 변경, 셀 구조의 변화 등이 추진되는 이유도 바로 이 때문입니다.
우리는 낸드플래시가 2D 플래너 형에서 3D형으로 바뀔 때의 큰 변화를 직접 체감했습니다. 비트당 코스트 감소에 따른 스케일링 효과의 극대화, 장비 재료 시장의 큰 지형 변화 등이 바로 그것입니다. D램 공정의 구조가 바뀌면 현재의 노광 장비 중심의 설비 투자가 증착, 식각 분야로 옮겨갈 것이 확실합니다. 재료 분야도 큰 변화가 이뤄질 것입니다. 업계의 희비가 갈릴 것으로 예상합니다.
이러한 변화의 움직임이 수면 위로 올라오면 국책과제도 다량 기획돼 나올 것으로 예상할 수 있겠습니다. 디일렉은 이러한 큰 변화에 앞서 글로벌 반도체 기업의 전문가를 통해 어떤 식으로 기술 개발이 전개될 지 사전에 살펴보는 메모리 관련 콘퍼런스를 기획했습니다.
많은 관심을 부탁드립니다.
《반도체·디스플레이·배터리·자동차전장·ICT부품 분야 전문미디어 디일렉》
◆ 행사 개요
- 행사명 : 2023 차세대 메모리 공정 장비·소재·기술 콘퍼런스
- 일시 : 2023년 6월 8일(목) 10시~17시
- 장소 : 서울 역삼동 포스코타워 3F 이벤트홀 (2호선 역삼역 3번출구 도보 3분)
- 주최 : 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합
- 주관 : 디일렉, 와이일렉
◆ 세부 일정