인피니언테크놀로지스(인피니언)는 TO263-7을 적용한 2세대 차량용 '1200V CoolSiC MOSFET'을 출시한다고 26일 밝혔다.

차세대 1200V CoolSiC MOSFET은 1세대 대비 25% 감소한 스위칭 손실을 제공한다. 이를 통해 고주파수 동작을 지원하며, 시스템 크기와 전력 밀도 개선이 가능하다.

또, 낮은 온 저항(RDS(on))으로 -55°C~175°C의 전체 온도 범위에서 도통 손실을 줄일 수 있다. 도통 손실은 디바이스에 전류가 흐를 때, 저항 성분으로 인해 발생하는 손실이다.

패키지 열 성능 향상을 위해 확산 솔더링 칩 탑재 기술(.XT 기술)도 적용됐다. 인피니언은 '.XT 기술'을 통해 SiC MOSFET 접합부 온도를 전세대 대비 25%까지 개선할 수 있다고 설명했다.

디일렉=노태민 기자 tmnoh@bestwatersport.com
《반도체·디스플레이·배터리·자동차전장·ICT부품 분야 전문미디어 디일렉》