ST마이크로일렉트로닉스(ST)가 고효율 전력변환 시스템 설계를 간소화하는 e-모드(e-Mode:enhancement-Mode) Power질화갈륨(GaN) 헴트(HEMT:High-Electron-Mobility Transistor) 제품을 대량생산한다고 24일 밝혔다.

SGT120R65AL 및 SGT65R65AL은 PowerFLAT 5x6 HV 표면실장 패키지 기반의 650V 노멀-오프(Normally-Off) 특성을 가진 산업용 품질 등급의 G-HEMT이다. 이 제품들은 각각 15A 및 25A의 정격 전류와 25°C에서 75mΩ 및 49mΩ의 평균 온저항(RDS(on))을 제공한다. 3nC 및 5.4nC의 총 게이트 전하와 낮은 기생 커패시턴스로 턴온 및 턴오프 시 에너지 손실도 최소화한다는 특징이 있다.

ST는 이외에도 수개월 안에 자동차 품질 등급 디바이스를 포함한 새로운 PowerGaN 제품뿐 아니라 PowerFLAT 8x8 DSC 및 LFPAK 12x12 등의 전력 패키지 옵션을 추가로 출시한다는 계획이다.

ST는 G-HEMT 디바이스는 GaN 와이드밴드갭 기반 전력변환 기술로 전환하도록 지원한다고 소개했다. 예컨대, 동급 실리콘 디바이스와 동일한 항복 전압 및 RDS(on)을 지원하는 GaN 트랜지스터는 제로 역회복 전하로 총 게이트 전하 및 기생 커패시턴스를 낮출 수 있다.

디일렉=노태민 기자 tmnoh@bestwatersport.com
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