삼성전자가 차세대 서버용 D램 모듈에 몰디드언더필(MUF) 적용을 검토 중이다. 기존 고용량서버메모리모듈(RDIMM)의 경우 열압착(TC)-비전도성접착필름(NCF)이 사용됐으나, 차세대 제품부터는 매스리플로우(MR)-MUF 공정을 적용하겠다는 이야기다. 최근 진행한 테스트 결과도 긍정적이다. 3차원적층메모리(3DS)에 MUF 공정을 적용했을 때 쓰루풋이 대폭 개선된 것으로 파악됐다.

28일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 고대역폭메모리(HBM)와 D램 3DS 적층에 열압착(TC)-비전도성접착필름(NCF)이 아닌 매스리플로우(MR)-MUF 공정을 적용해 테스트했다. 테스트 결과, NCF 대비 쓰루풋은 대폭 개선됐으나, 물성은 하락했다.

삼성전자가 MUF 소재 적용 검토를 시작한 것은 지난해부터다. 삼성전자 사안에 밝은 한 관계자는 "삼성 DS 고위 관계자가 지난해 회의에서 MUF를 도입해 보라는 지시를 내렸다"며 "테스트 결과 HBM에는 쓰기 어렵고, 3DS RDIMM에는 적합하다는 결론을 내린 것으로 알고 있다"고 말했다.

3DS RDIMM은 실리콘관통전극(TSV)을 활용해 만든 서버용 D램 모듈이다. 삼성전자는 현재 TSV 공정이 필요한 3DS RDIMM의 경우 TC-NCF 공정을 통해 양산하고 있다. 

MUF는 에폭시몰딩컴파운드(EMC)의 일종이다. SK하이닉스가 HBM 양산에 MUF 소재를 적용하면서 각광받고 있다. MUF 소재 개발은 나믹스와 함께 진행했다. 업계에서는 삼성전자가 MUF 소재 개발 위해 삼성 SDI와 협력할 것으로 보고 있다. 나믹스의 경우 SK하이닉스와 계약 등으로 삼성전자에 MUF 소재 공급이 어렵기 때문이다. 삼성SDI는 이미 MUF 소재 기술을 보유 중이다. 이외에도 헨켈 등 기업이 MUF 소재 기술을 가지고 있다.  

삼성전자는 HBM 양산에는 TC-NCF 방식을 고수할 것으로 보인다. 삼성전자는 지난 27일 12단 HBM3E를 어드밴스드 TC-NCF 기술을 통해 구현했다고 발표한 바 있다. 업계 관계자는 "삼성전자와 마이크론의 경우 HBM 양산에 TC-NCF 방식을 고수하고 있는데, 이 방식이 워피지 방지에 유리하다"며 "HBM의 고단화가 지속되는 만큼, 삼성전자가 TC-NCF를 계속해서 사용할 가능성이 높다"고 설명했다.

장비업계 관계자는 "삼성전자가 이미 천문학적인 금액을 투입해 TC-NCF 라인을 구축해뒀다"며 "이 상황에서 HBM 적층을 MR-MUF 방식으로 선회하는 것은 불가능하다"고 귀띔했다.

한편, 삼성전자는 국내·외 장비사에 MUF 공정 관련 장비를 발주 낸 것으로 확인됐다.

디일렉=노태민 기자 tmnoh@bestwatersport.com
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