TI, GaN 반도체 양산 8인치로 전환....경쟁사 대비 비용 우위 추진

댈러스 팹, 2025년 목표로 8인치 공정 전환 중

2024-03-05 노태민 기자

미국 아날로그 반도체 기업 텍사스인스트루먼트(TI)가 화합물반도체(Si on Gan) 생산 공정을 6인치(150mm)에서 8인치(200mm)로 전환 중이다. 생산 능력 증대를 통해 경쟁사 대비 비용 우위를 가져가려는 전략이다. 신주용 TI 코리아 이사는 5일 서울 강남구 그랜드인터콘티넨탈 서울 파르나스호텔에서 열린 'TI 오프라인 미디어 간담회'에서 "질화갈륨(GaN) 반도체가 탄화규소(SiC) 반도체보다 비싸다는 인식이 있다"며 "이는 2022년 기준으로 가격 역전 현상을 보이고 있고, 현재는 GaN 반도체가 SiC 보다 낮은 가격을 형성해 나가고 있다"고 말했다. 이어 "댈러스, 일본 아이주(Aizu) 등에 8인치 팹 준비를 하고 있다"며 "이 모든 준비가 끝나게 되면 현재 가격보다 훨씬 저렴한 솔루션을 제공할 수 있을 것"이라고 덧붙였다. TI는 최근 생산 효율 개선을 위해 6인치 생산 공정을 8인치로, 8인치 생산 공정을 12인치로 전환하고 있다. 8인치 웨이퍼는 6인치 대비 면적이 1.78배 넓어 더 많은 반도체를 생산할 수 있다. 12인치 웨이퍼는 8인치 대비 면적이 2.25배 넓다. 신 이사는 "TI가 기존에는 GaN 반도체를 6인치 공정을 통해 생산하고 있었다"며 "2025년을 목표로 댈러스 팹 8인치 공정 전환을 진행하고 있다"고 강조했다. 이어 "일본 아이주 팹의 경우 기존 실리콘 기반 8인치 생산 라인을 GaN 반도체 라인으로 전환하고 있으며, 전환 시점에 대해서는 공개하기 어렵다"고 부연했다. 업계에서는 TI의 공정 전환이 GaN 반도체 가격 하락으로 이어질 수 있다고 분석하고 있다. TI는 전력관리반도체(PMIC) 생산을 8인치에서 12인치 공정으로 전환하면서 업계 전반의 가격 인하에 영향을 끼치기도 했다. 업계 관계자는 "6인치 생산 공정을 8인치로 전환하면 10% 이상 생산 비용 절감이 가능하다"고 설명했다. 한편, TI는 이날 오프라인 미디어 간담회에서 100V GaN 전력계인 LMG2100R044과 LMG3100R017 등 신제품을 공개했다. 고집적, 스위칭 주파수 증가 등을 통해 전력 밀도를 1.5kW/in3 이상으로 개선한 것이 특징이다.

디일렉=노태민 기자 tmnoh@bestwatersport.com
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