SK키파운드리는 기존 3세대 대비 성능이 약 20% 향상된 4세대 0.18㎛ BCD 공정 출시를 통해, 모바일 및 전력 반도체 성능 향상을 위한 솔루션을 제공한다고 11일 밝혔다.

회사는 4세대 0.18㎛ BCD 공정은 3.3V, 5V, 18V 등 다양한 전력 소자 게이트 입력단을 포함한 40V급까지의 전력 소자들을 제공해, 서버 및 노트북용 PMIC, DDR5 메모리용 전력관리반도체(PMIC), 오디오 앰프, 차량용 게이트 드라이버 등 다양한 응용 분야에서 고객 필요에 맞는 사양으로 사용 가능한 것이 특징이라고 설명했다.

또 4세대 0.18㎛ BCD 공정은 자동차용 전력 반도체에 사용 가능하도록 125℃ 고온 환경에서 IC 동작을 보장하는 자동차 품질 규격 AEC-Q100 Grade1 만족했다.

이외에도 트리밍용 MTP(Multi-Time Programmable) / OTP(One-Time Programmable) memory, SRAM memory 등을 옵션으로 제공해 고객의 제품 설계를 용이하게 한다고 부연했다.

이동재 SK키파운드리 대표는 "신규 4세대 0.18㎛ BCD 공정을 고객에게 제공하게 된 것을 기쁘게 생각한다"며 "SK키파운드리는 전력용 반도체 공정 기술 경쟁력을 지속 강화하고 고객과의 긴밀한 협력을 통해 AI 서버용 PMIC, DDR5 PMIC, 자동차용 Gate driver IC 등 향후 높은 성장이 기대되는 다양한 응용 분야로 사업을 확대해 나갈 것"이라고 말했다.

디일렉=노태민 기자 tmnoh@bestwatersport.com
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