SK하이닉스가 5세대 고대역폭메모리(HBM3E) 16단 제품의 출시를 공식화한 가운데 12단 제품과 비슷한 수준의 검증 수율을 자신했다.
권종오 SK하이닉스 웨이퍼 레벨 패키징(WLP) 백엔드(BE) 개발 PL은 5일 서울 코엑스에서 열린 ’SK AI SUMMIT’ 세션에서 “고객사에 샘플을 차질 없이 납품할 수 있다는 약속의 기반에는 데이터가 있다"며 "사전 처리 단계(Preconditioning), TC(Thermal Cycling), HTS(High Temperature Storage) 모두에서 큰 문제 없이 통과했다”고 말했다.
16단 제품을 개발하며 맞닥뜨린 어려움도 공유했다. 권 PL은 “12단 제품 대비 D램 사이의 간격이 절반 정도로 줄어들어, 더욱 좁아진 틈에 EMC(Epoxy Molding Compound)를 어떻게 채워 넣을지가 관건이었다”고 말했다.
HBM은 베이스 다이 위에 D램을 쌓아 만든다. 수직으로 쌓아 올린 칩들의 빈틈을 액체 형태의 EMC(Epoxy Molding Compound)로 메워 회로를 보호한다. SK하이닉스가 자체 개발한 기술 ’MR-MUF(Molded Reflow-underfill)’이다.
SK하이닉스는 MR-MUF 기술을 고도화한 ’어드밴스드 MR-MUF' 기술을 차세대 HBM에서도 계속 이용한다. 권 PL은 “16단, 20단 제품에서도 경쟁력이 있다고 생각하는 기술"이라며 "하이브리드 본딩의 적용 여부는 이점을 비교해 결정할 것”이라고 말했다.