로옴이 온-저항을 낮춘 4세대 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터(소스, 드레인, 게이트 등 3개의 전극으로 구성된 반도체)를 개발했다고 17일 밝혔다.

신제품 '1200V 제4세대 SiC MOSFET'은 전 세대보다 단위 면적당 온-저항이 약 40％ 줄었다. 전류를 흘려 보내거나 멈추게 하는 온 오프 시(스위칭)의 손실은 전 세대보다 50％ 감소했다. 두 전극(게이트, 드레인)의 용량도 절감했다. 차량용 전력변환장치와 다양한 애플리케이션의 소형화 및 전력 저소비를 지원한다. 이번 달부터 고객사들에게 샘플을 제공 중이다.

한편 로옴은 2010년 세계 최초로 탄화규소(실리콘카바이드) 전계효과 트랜지스터를 양산했다. 회사는 미국 자동차전자부품협회(AEC)의 품질 기준인 'AEC-Q101'을 획득한 다양한 제품을 확보하고 있다.