ACM리서치가 신형 반도체 세정 장비 '울트라C VI'를 개발했다고 22일 밝혔다. 반도체 기판의 가공 공간을 늘린 것이 특징이다. 세정 챔버(공정 장비에 탑재된 반도체 기판 가공 공간) 수는 18개다. 기존 모델 '울트라C V'보다 6개 더 많다. 반도체 기판 가공량이 50% 더 늘어났다.
챔버 추가로 챔버 내의 건조 환경을 최적화했다. 건조 효율을 높였다. 크기가 큰 반도체 기판도 IPA라는 알코올로 습식 세정에 사용된 물질을 걷어내 건조할 수 있다. 18개의 챔버 수는 반도체 생산 주기를 유지하고 단축하는데 적합하다. 챔버 수가 너무 많을 경우 장비가 다운될 수 있기 때문이다.
데이비드 왕 ACM 사장은 "18 챔버 구성은 시간당 반도체 기판 가공량과 공장 자동화 매칭 사이에 더 나은 균형을 제공한다"고 말했다.
울트라C VI는 화학 물질 재사용으로 소모품 비용과 전반적인 유지 비용을 줄인다. D램과 3D 낸드플래시 장비의 세정 처리량을 높여 제품 출시주기를 앞당길 수 있다. 화학 물질에 따라 전공정에 해당하는 FEOL과 후공정인 BEOL에서 다양하게 사용할 수 있다. 세정 중 표준 세척제(SC1, SC2), 불산, 세척제 등 여러 세척 용액을 조합해도 된다.
질소를 이용한 기체·액체 스프레이 세정 기술이나 독점 기술인 SAPS 등의 세정 방법 사용이 가능하다. 올해 3분기 초에 주요 메모리 반도체 업체에 공급할 계획이다.
