삼성전자가 평택 2라인 반도체 공장 가동을 시작한다고 30일 밝혔다.

첫 생산 품목은 극자외선(EUV) 공정을 적용한 3세대 10나노급(1z) LPDDR5 모바일 D램이다.

평택 2라인은 D램과 낸드플래시, 파운드리 생산이 함께 이뤄지는 복합 라인으로 꾸며진다. 삼성전자는 지난 5월 평택 2라인에 EUV 파운드리 생산 라인을 착공했다. 6월에는 3D 낸드플래시 생산 라인도 착공했다. 두 라인 모두 2021년 하반기부터 가동할 예정이다. 삼성전자는 지난 2015년부터 평택캠퍼스를 조성해오고 있다. 평택 1라인은 2017년 6월 양산을 시작했다. 평택 2라인은 2018년 1월 착공돼 이번에 처음으로 D램을 출하했다. 삼성전자 평택 캠퍼스 전체 부지 규모는 289만㎡다. 평택 2라인은 연면적이 12만8900㎡(축구장 16개 크기)에 달한다.

삼성전자는 이번 평택 2라인 가동 등에 대해 "지난 2018년 8월에 발표한 180조원 투자, 4만명 고용 계획의 일환"이라면서 "어려운 여건 속에서도 신규투자와 채용을 적극 확대하고 있다"고 설명했다. 삼성전자는 평택 1라인에 이어 이번 평택 2라인에 소요될 투자액이 총 30조원 이상이 될 것이라고 밝혔다. 직접 고용 인력은 약 4000명으로 예상되고 협력사와 건설 인력을 포함하면 약 3만명 이상의 고용창출이 기대된다고 강조했다. 

차세대 고용량 LPDDR5 모바일 D램

삼성전자는 평택 2라인에서 출하된 16기가비트(Gb) LPDDR5 모바일 D램은 메모리 양산 제품으로는 처음 EUV 공정이 적용됐다고 설명했다. 삼성전자는 지난 2월 2세대 10나노급(1y) 공정으로 역대 최대 용량인 16기가바이트(GB) LPDDR5 D램을 양산한 바 있다. 이번 D램은 6개월 만에 차세대 1z 공정까지 프리미엄 모바일 D램 라인업을 강화한 것이다. 

신제품 동작속도는 64핀(x64, JEDEC 규격) 구성 패키지 기준 최대 51.2GB/s이다. 기존 플래그십 스마트폰용 12GB 모바일 D램(LPDDR5, 5,500Mb/s)보다 16% 빠른 6400Mb/s 동작 속도를 구현했다. 16Gb LPDDR5 모바일 D램은 8개 칩(Die)으로 16GB 제품을 구성할 수 있다. 기존 12Gb 칩 8개와 8Gb 칩 4개를 더한 기존 제품보다 30% 더 얇은 패키지를 만들 수 있다.

삼성전자는 글로벌 스마트폰 업체에 신제품을 공급한다고 설명했다. 내년 초 출시되는 플래그십 스마트폰부터 해당 LPDDR5 모바일 D램이 대거 탑재될 것으로 전망된다.  삼성전자는 고온 신뢰성도 확보해 전장용 제품까지 사용처를 확대해 나갈 예정이라고 밝혔다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 D램개발실 부사장은 "이번 1z나노 16Gb LPDDR5는 역대 최고 개발 난도를 극복하고 미세공정 한계를 돌파한 제품"이라며 "프리미엄 D램 라인업을 지속 확대해 메모리 시장 확대에 기여해 나갈 것"이라고 말했다.