실리콘랩스, 컴팩트 설계 돕는 절연형 게이트 드라이버 출시
내구성 강화, 지연 시간 50% 저감
2020-10-27 이나리 기자
Si823Hx/825xx 제품군은 신속한 전계 효과트랜지스터(FET) 턴온을 위해 높은 소스 전류를 제공한다. 대칭형 4A 싱크/소스 능력은 소스 전류가 이전 세대 드라이버와 비교할 때 거의 2배 향상됐다. 이는 스위칭 손실을 줄이는 데 도움된다. 최대 전파 지연을 절반 수준인 30나노초(ns)로 줄였다. 입력 전압 범위(VDDIH)는 4.5~20볼트(V)까지 확장됐다. 아날로그 컨트롤러 파워 레일과 직접 인터페이스가 가능하다.
16핀 패키지 대응품과 8핀 패키지로 공급돼 시스템 크기와 비용을 줄여준다. 온도가 높아지면 드라이버를 자동으로 셧오프시키는 OTP(over-temperature protection) 기능도 특징이다. 안전성을 극대화하기 위해 데드 타임, 오버랩 방지, 입력 잡음 제거(de-glitch) 기능이 추가됐다.