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어플라이드, Besi와 '반도체 본딩 장비 솔루션' 개발 협업

공동 프로그램 구축 COE 설립 

2020-11-04     이나리 기자

어플라이드머티어리얼즈가 BE세미컨덕터 인더스트리(Besi)와 협력해 다이(Die) 기반 하이브리드 본딩 장비 솔루션을 개발한다고 4일 밝혔다. 

양사는 공동 개발 프로그램을 만들고, 차세대 칩 간 본딩 기술에 초점을 맞춘 COE(Center of Excellence)를 설립한다. 이 프로그램은 양사가 보유한 프론트엔드(전공정), 백엔드(후공정) 전문성을 바탕으로 통합 하이브리드 본딩 구성과 장비 솔루션을 제공하게 된다. 

COE는 어플라이드의 싱가포르 소재 첨단 패키징 개발 센터에 위치한다. 1만7300평방피트 규모의 클래스 10 클린룸에서 웨이퍼 레벨 패키징 장비 풀 라인을 갖춘 곳이다. 

다이 기반 하이브리드 본딩은 고성능 컴퓨팅, 인공지능(AI), 5G 등 첨단 기술 제품에서 이기종 칩과 하위시스템 설계를 지원하는 칩 간 연결 기술이다. 

양사의 공동 개발 프로그램은 어플라이드가 지닌 식각, 평탄화, 증착, 웨이퍼 세정, 계측, 검사, 입자 결함 제어 공정의 전문성과 Besi의 업다이 배치, 인터커넥트 및 조립 솔루션을 결합할 계획이다.