ACM리서치가 3D 실리콘 관통 전극(TSV) 기술을 위한 반도체 장비 울트라 ECP 3D 플랫폼을 3일 발표했다. 

TSV 기술을 활용한 장비는 이미징, 메모리, 멤스(MEMS), 광전자 분야에 활용된다. 이 장비는 ACM의 울트라 ECP ap과 맵 플랫폼을 활용한다. 보이드(Void)나 심(Seam)과 같은 결함을 남기지 않으면서 구리(Cu) 전기 도금을 할 수 있다. 

고종횡비 TSV의 상향식 충전에 사용되는 구리 전해질은 내부에 기포가 없는 상태로 미세 구멍을 완전히 채워야 한다. 이런 공정을 가속화하기 위해서 사전 습식 단계가 사용된다. 이 기술은 더 나은 수율과 더 큰 도금 효율성을 제공한다. 처리 속도도 빨라진다. 

이 장비는 차지하는 면적이 2.20m × 3.60m × 2.90m(폭, 길이, 높이)에 불과하다. 사전 습식, 구리 도금, 후 세정 기능이 통합된 10개 챔버의 300밀리미터(mm) 장비다.

데이비드 왕 ACM 최고경영자(CEO)는 "울트라 ECP 3d 플랫폼은 고객사와의 협력을 통해 고종횡비의 미세구멍(Via)을 성공적으로 채울 수 있다는 것을 입증했다"면서 "적층 챔버 설계로 더 높은 처리속도를 제공한다. 더 적은 소모품을 사용하고 총 소유비용을 낮출 뿐만 아니라 팹 공간 활용도를 높일 수 있도록 설계됐다"고 덧붙였다.

ACM은 최근 중국 고객사에 첫번째 울트라 ECP 3D 장비를 납품했다고 밝혔다. 현재 3D TSV, 2.5D 인터포저 구리 도금 기능을 검증 중이다.