내년 고대역폭메모리(HBM) 공급 과잉이 일어날 수 있다는 일각의 우려에 대해 대만 시장조사업체 트렌드포스는 수율 개선에 시간이 필요하다면서 메모리 제조업체가 계획대로 공급량을 늘릴 수 있을 지 미지수라는 견해를 내놨다. 공급 과잉으로 값이 떨어질 가능성이 낮다는 점을 시사했다.
앞서 모건스탠리는 내년에 삼성전자가 인공지능(AI) 가속기용 HBM 시장에 진입하면 HBM 공급 과잉 양상을 보일 것이라는 전망의 보고서를 내 시장에 파장을 일으켰다.
에이브릴 우(Avril Wu) 트렌드포스 수석 연구 부사장은 지난 달 30일 게재한 'HBM3E 12단 수율 개선과 고객 검증 어려움 : 2025년 HBM 공급 전망은 여전히 불투명(HBM3e 12-Hi Faces Yield Learning Curve and Customer Validation Challenges : 2025 HBM Supply Outlook Remains Uncertain)이라는 자료에서 "HBM3E 12단의 안정적 수율을 달성하기까지 시간이 오래 걸릴 것이기 때문에 과잉 공급 발생 여부를 예측하기 어렵다"고 밝혔다.
우 부사장은 "이전 세대인 HBM3와 HBM3E 8단 제품은 안정 수율을 달성하기까지 최소 두 분기 동안의 학습 시간이 필요했다"면서 "이를 바탕으로 HBM3E 12단 제품이 학습 시간이 크게 단축되기는 어려울 것"이라고 내다봤다.
그는 시장이 빠르게 12단 제품으로 전환되고 있는 상황이어서 더욱 그렇다고 강조했다.
D램 공급사는 실리콘관통전극(TSV) 공정을 적극 확장하고 있다. 삼성전자는 올 연말 기준 월 12만장으로 예상되는 TSV 웨이퍼 생산능력을 내년 말까지 17만장으로 40% 확대할 예정이다. SK하이닉스도 같은 기간 동안 25%의 생산 능력을 확대할 계획을 갖고 있다. 이 같은 생산량 확대 계획으로 공급 과잉과 가격 하락이 발생할 수 있다는 우려가 나왔었다. 그러나 트렌드포스는 "이러한 확대 계획이 완전히 실현되려면 수율 확보와 고객사 검증 성공 여부가 관건"이라고 설명했다.
HBM3E 12단 제품은 엔비디아의 B200과 GB200, AMD의 MI325와 MI350과 같은 주요 GPU AI 가속기에 탑재된다. 비싼 시스템이기 때문에 엄격한 안정성을 요구하고 있으며, 이는 대량 생산을 가로막는 걸림돌이 될 것이라고 내다봤다.
트렌드포스의 최신 조사에 따르면 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론은 올 상반기와 3분기에 첫 HBM3E 12단 샘플을 제공했고, 고객사는 이를 검증 중이다. 트렌드포스에 따르면 SK하이닉스와 마이크론 진척도가 더 빠르다. 올해 말까지 검증을 완료할 것으로 예상했다.
트렌드포스는 AI 가속기가 차세대 HBM 제품을 더 많이 탑재함에 따라 2025년에는 전체 HBM 비트 수요의 80% 이상이 HBM3E가 차지할 것으로 내다봤다. 이 중 절반 이상이 12단 제품에서 발생할 것으로 전망했다. 공급 과잉이 발생할 경우 HBM2e와 HBM3와 같은 이전 세대 제품에 영향을 미칠 가능성이 더 크다고 트렌드포스는 설명했다. 개별 D램 공급업체에 미치는 영향은 각 제조업체별 제품 구성에 따라 달라질 것으로 보인다.
트렌드포스는 D램 시장이 꺾이지 않을 것이라는 전망을 유지하면서 HBM이 2025년 총 D램 비트 출하량의 10%를 차지할 것으로 예상했다. 이는 올해의 두 배에 달하는 비중이다. HBM이 D램 전체 시장에서 차지하는 매출 비중은 30%를 초과할 것으로 전망했다.
