인터뷰 진행:한주엽 대표
출연:김종관 박사
-얼마 전에 김용탁 전문 위원님 모시고 한국 메모리 산업 경쟁력에 관해서 얘기를 들어봤는데요. 오늘은 큐알티의 전문연구위원이신 김종관 박사님 모시고 D램 안에서도 굉장히 핵심이라고 할 수 있는 커패시터(capacitor)라는 요소에 대해서 한 번 알아보는 시간을 갖도록 하겠습니다. 박사님 안녕하십니까? “안녕하십니까.” -D램에서 커패시터가 되게 중요하다고 하는데 기초적으로 D램 구성이 어떻게 돼 있습니까? “D램의 단위 셀이라고 하는 거에 하나의 트랜지스터와 하나의 커패시터. 1 to 1 cell. 그게 단위 셀 구조를 가진 그런 구조가 D램 셀입니다.” -셀이 최소 단위죠? “네. 메모리의 최소 저장 단위.” -그 최소 단위의 1 커패시터와 1 트랜지스터가 있다. 거기서 트랜지스터는 무슨 역할을 합니까? “트랜지스터는 커패시터에 우리가 저장하는 게 전하인데 그 전하를 전달하고 빼내고 read write 하는 게이트 역할을 하는 거죠. 스위칭 역할을 한다고 볼 수 있습니다.” -끊었다 풀었다 하는 역할. 풀면 전하가. “그렇죠. 전압 레벨이 높은 쪽에서 낮은 쪽으로 가게끔 그렇게 구성이 돼 있는데 만약에 1이라는 데이터를 쓰기 위해서는 비트라인(Bit Line, BL)의 high 데이터를 커패시터에 전달시키는 게이트 역할을 하는 게 트랜지스터 역할입니다.” -커패시터에 전하가 차있냐. 차있지 않냐로 0, 1 이렇게 판단하는 게 맞습니까? “네, 맞습니다.” -그 전하는 어느 정도나 차있어야 D램에서 ‘저기 전하가 차있구나. 저 셀에 전하가 차있구나. 없구나.’로 0, 1, 0, 1할 텐데 얼마나 차있어야 해요? “그래서 우리가 보통 공학적인 단위로 커패시터의 단위는 커패시턴스인데 우리가 최근에 제가 예를 들어 16Femto-Farad(fF). 그니까 수십 Femto인데 예전에 30Femto를 요구할 때도 있었고 최근에는 10Femto. 간단히 제가 16Femto라고 한 이유는 전자의 전하량이 1.6 곱하기 이렇게 나와요. 만약에 16Femto다. 그렇게 따지면 전자의 개수가 얼마라고 쉽게 얘기할 수가 있는데 16Femto라 하면 100,000개. 그래서 만약에 5Femto라 하면 30,000개 그런 식으로. 근데 그게 1볼트(V)에 제가 얘기한 거고.” -1V 기준으로. “만약에 전압이 높아지면 그만큼 차지하는 비례에서 증가합니다.” -지금 예를 들어서 DDR(double data rate)4, DDR5라 할 때 전압별로 된다는 얘기인 거죠? 동작 전압이 몇 V다. 이렇게 나오는데 그거에 이렇게 해서 계산해야 한다는 거잖아요? 근데 아까 예를 들어서 30(fF), 16(fF). 이게 30(fF)는 몇 나노 정도일 때 그 정도 했었어야 합니까? “90나노.” -과거 얘기입니까? “네. 과거 얘기입니다.” -지금 예를 들어서 그럼 10(fF) 이렇게 되면 그거는 최근입니까? 아니면. “최근이라고 볼 수 있습니다.” -과거 대비로는 저장된 전하량이 좀 줄기는 했네요. 그게 줄긴 했지만, 셀 사이즈는 계속 축소가 되지 않습니까. 축소되는데 저장해야 하는 전하량을 사수하려면 커패시터 용량을 어떻게 계속 사수해야 하죠? “워드라인(Word Line, WL), 비트라인(Bit Line, BL) 스토리지노드(storage node)로 이렇게 차곡차곡 쌓는 구조로 돼 있는데 얘기하신 대로 트랜지스터 사이즈가 점점 줄고 있습니다. Dimension(크기)이 줄다 보면 결국 커패시터를 결정하는 건 표면적입니다. 우리가 전극의 면적이라고 볼 수 있습니다. 전극의 표면적인데 그걸 키우기 위해서 다양한 방법들이 있었는데 예전에 우리가 트랜지스터 구조, 셀 커패시턴스, 커패시터의 구조가 스택(stack) 구조였는데 스택 구조라는 게 실린더 형태로 원통 기둥을 세워서 그 기둥에 외벽과 내벽을 다 커패시터의 면적으로 활용할 수 있는 그런 삼차원 구조를 계속 유지해 왔던 거죠.” -그니까 바닥 면적이 계속 좁아지면 뭔가를 채울 수 있는 위로 계속 쌓아 올리는. “위로 쌓아 올려야 하는 거죠.” -그게 Aspect Ratio(화면비) 이렇게 얘기를 하던데 그것도 그럼 몇 대 몇으로 계속 이렇게 올라가야 한다는 겁니까? “네, 그렇습니다. 근데 그것도 물론 한계가 있어서 유전체의 얘기가 나오는데.” -잠실에 있는 롯데타워 길이가 555m라고 하더라고요. “그렇습니까? 직경이 얼만지.” -그리고 부르즈 칼리파라고 두바이에 있는 높은 빌딩이 830m인데 ar이 아까 aspect ratio가 부르즈 칼리파 같은 경우는 17이고. “17:1.” -17이더라고요. 그리고 롯데월드타워는 11인데 메모리 커패시터는? “우리가 aspect ratio가 많이 얘기하는 게 D램도 그렇고 3 Nand에도 그렇고 사실은 에칭 기술이에요. 드라이 에칭인데 홀을 드라이 에칭을 통해서 식각을 해야 하는데 식각할 때 직경과 길이. aspect ratio가 D램의 경우에는 50:1 정도를 해야 하고 그렇습니다.” -그거 만들기 되게 어렵겠는데요. “그래서 여러 가지 에칭 장비도 플라즈마 기술도 많이 요구되고 에칭 케미스트리에 해당하는 에칭 가스도 다양한 가스들이 개발되고 있습니다.” -그래서 커패시터 같은 경우에는 다양하게 쌓아서 올려놓고 원통형으로 만들기도 어렵지만, 거기 밖에 High-k라고 High-k 물질도 증착이 많이 발라진다고 하는데 그건 왜 바르는 겁니까? “아까 커패시터 용량을 높이기 위해서는 축전 용량을 높이는 방법이 표면적을 키우는 거 하고 그다음에 전극과 전극 사이의 간격을 좁히는 방법이 있습니다. 근데 물리적으로 좁히는 데 한계가 있어서 전기적인 두께로 환산했을 때 피지컬 두께는 키울 수 있지만, 전기적인 두께는 계속 낮출 방법이 High-k 물질을 사용하는 겁니다.” -K가 뭘 의미하는 거죠? “전극과 전극 사이 유전체의 유전율입니다. 유전율인데 비유전율. 우리가 K-Value라고 하는 게 그게 유전체의 종류에 따라서 분극이 잘 일어나는 게 있고 그렇지 않은. 거기에 따라서 유전율 물질 상수죠. 물질마다 가진 유전율이 있습니다.” -오늘 사실은 이 얘기를 하려고 앞에 길게 말씀드렸는데 커패시터가 되게 중요한 공정이다 보니까 커패시터 밖에 바르는 물질, High-k 물질에 대한 공급처. 물질을 바를 때 사용하는 장비에 대해서 말씀을 해주실 텐데 증착은 그냥 일반 CVD(Chemical Vapor Deposition) 증착을 하는 건 아니죠? “CVD 아시니까. 화학 증착 갖고는 아까 high aspect ratio에 전극을 바르고 거기에 유전체. 전극하고 유전체하고 그다음에 전극. 이런 구조로 증착이 되는데 전극도 마찬가지이지만, 유전체도 어려운 구조에다가 스택 커버리지(Stack Coverage)라 그래요. Uniform 하게 처음과 끝을 얇은 막을 유니폼 하게 증착하는 걸 이루려면 거의 원자층 증착이라 해서 ALD(atomic layer deposition) 공정을 벌써 오래전부터 사용해 왔던 겁니다.” -원자 단위 수준의 얇은 두께의 증착을 할 수 있다. “증착하는 과정이 원자 단위로 프리커서(Precursor)가 나오는데 프리커서 물질을 만약에 화합물을 만들 때 A 화합물, B 화합물 합해서 어떤 필름. 지르코늄 옥사이드(Zirconium Oxide, ZrO2)다. 그럼 지르코늄 소스하고 옥시즌 소스하고 교번 하면서 표면에서만 가능하게끔 그래서 거의 원자층으로 증착이 스텝 바이 스텝으로 사이클링 하면서 증착하는 방식이 바로 ALD입니다.” -ALD 장비들 공급하는 데 국내 업체들 꽤 있죠? “우리나라가 D램 High-k에 대해서 수요가 많았기 때문에 국내에서 경쟁력 있게 개발해 왔고요. 가장 대표적인 ALD뿐만 아니라 셀 커패시터의 다일렉트릭 또는 전극 물질에 대해서 특화된 우리나라 중견기업이 주성엔지니어링이라는 회사가 예전부터 High-k 그전에 폴리실리콘 공정부터 해서 커패시터 공정에 많이 특화된 장비들을 개발해 왔는데 마찬가지로 High-k 용 ALD 장비도 주성엔지니어링에서 개발해서 이미 납품하고 있고 그다음에 원익IPS에서도 매엽식 장비. 거의 비슷한 컨셉인데 하고 있고요.” -매엽식. 좀 어려운 단어인데.저작권자 © 전자부품 전문 미디어 디일렉 무단전재 및 재배포 금지