에이프로세미콘과 DB하이텍은 경기도 군포시 에이프로 본사에서 양사 주요 임원들이 참석한 가운데, 성공적인 파운드리 공정기술개발을 위한 양해각서(MOU)를 체결했다고 22일 밝혔다.
양사는 올해부터 2024년까지 'GaN 전력반도체 파운드리 공정기술개발'을 추진한다. 에이프로세미콘이 제조하는 8인치 GaN에피웨이퍼 제품 적용을 포함하는 포괄적인 협력관계를 구축할 예정이다.
이번 MOU에 따라 양사가 신규사업으로 추진중인 GaN전력반도체 제품 대응을 위한 핵심 공정을 함께 개발하게 되고, 확보된 기술을 각자 사업에서 활용할 수 있게 된다. 에이프로세미콘은 이번 협약을 바탕으로 안정적인 파운드리 파트너를 확보함으로써 GaN 전력반도체 사업 분야를 더욱 키워나가겠다는 전략이다.
에이프로 관계자는 "국내 굴지의 반도체 파운드리 기업과 협약을 맺게 되어 매우 기쁘게 생각한다"며 "에이프로세미콘이 보유하고 있는 기술력을 바탕으로 양사간 시너지를 발휘할 수 있는 좋은 기회가 되었으면 좋겠다"고 말했다.
DB하이텍은 국내 대표 파운드리 기업으로 GaN, SiC 반도체 사업을 차세대 성장동력으로 선정하고 연구개발에 나섰다. 이번 협약의 목표인 8인치 GaN전력반도체 기술 개발은 DB하이텍이 보유한 8인치 공정장비의 호환성을 활용할 수 있기 때문에 향후 안정적인 파운드리 생산능력까지 연결될 것으로 예상된다.
이와 더불어 협력 기간동안 DB하이텍은 공정 개발을 위해 에이프로세미콘의 GaN 에피웨이퍼를 구매하여 사용할 예정이다. 현재 GaN 에피웨이퍼는 높은 해외 수입 의존도를 가지고 있는 핵심소재다. 프로세미콘은 웨이퍼를 직접 생산하고자 지난 2020년 국내 최초로 GaN 전력반도체용 8인치 MOCVD 양산 장비를 국내로 도입해 생산을 시작했다. 사업의 주된 목표는 제품의 내재화였지만 일부 물량은 외부에 판매하고자 하는 계획을 세웠고, 이번 협약을 통해 8인치 GaN 에피웨이퍼의 국산화 결실뿐만 아니라 매출까지 연결될 전망이다.
