삼성전자는 업계 최선단인 12나노미터(nm)급 16Gb DDR5 D램 양산을 시작했다고 18일 밝혔다. 삼성전자 12nm급 D램은 이전 세대 제품 대비 생산성이 20%, 소비 전력이 23% 가량 개선됐다. 소비 전력 개선으로 데이터센터 등 운영에서 전력 운영 효율을 높일 수 있다는 게 삼성전자 측 설명이다.  삼성전자는 반도체 공정 미세화에 따른 누설 전류를 막기 위해 유전율(K)이 높은 신소재를 적용해 커패시터 용량을 늘렸다. 동작 전류 감소 기술과 데이터를 더 확실하게 구분할 수 있는 노이즈 저감 기술 등도 적용했다. 삼성전자의 DDR5 규격의 12nm급 D램은 최고 동작 속도 7.2Gbps를 지원한다. 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다. 삼성전자는 고객 수요에 맞춰 12nm급 D램 라인업을 지속적으로 확대해 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 계획이다. 이주영 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장(부사장)은 "대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 고성능, 고용량을 확보할 뿐만 아니라 높은 생산성으로 제품을 적기에 상용화하여 D램 시장을 선도해나갈 것"이라고 밝혔다.

디일렉=노태민 기자 [email protected]
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