삼성전자가 이른바 '메모리 병목 현상' 해결을 위해 차세대 메모리 솔루션 개발 필요성을 강조했다. '메모리 병목'은 생성형 AI 등 대용량 데이터를 처리하는 과정에서, 메모리반도체가 연산을 담당하는 프로세서에 데이터를 보내는데 많은 시간이 걸리는 현상을 의미한다. 류성욱 삼성전자 메모리솔루션연구소 부사장은 16일 서울 양재 엘타워에서 열린 ‘JEDEC 포럼’에서 "데이터 센트릭 컴퓨팅에서 ‘메모리 벽’ 극복을 위해 HBM-PIM, CXL-PNM, SmartSSD 등의 솔루션이 필요하다"고 밝혔다. 이날 포럼은 미국 전자공업협회(EIA) 산하 반도체 분야 국제 표준화기구인 JEDEC 주최로 열렸다. 류 부사장은 주제발표를 통해 “메모리 병목 현상 등으로 최근 애플리케이션 성능은 메모리 퍼포먼스에 의해 결정되고 있다”며 “메모리 퍼포먼스가 프로세서 퍼포먼스를 추격하는데 어려움을 겪고 있다”고 말했다. 그는 “이러한 병목 현상을 해결하기 위해 HBM-PIM, CXL-PNM 등의 차세대 메모리 연구가 필요하다”고 강조했다. HBM-PIM은 고대역폭메모리(HBM)와 프로세싱-인-메모리(PIM)를 결합한 반도체다. HBM-PIM 내부에서 프로세서가 담당하는 일부 연산 기능을 직접 처리할 수 있다. 대역폭과 용량을 강조한 CXL-PNM 반도체도 연구되고 있다. CXL-PNM은 컴퓨팅 익스프레스 링크(CXL)와 프로세싱-니어-메모리(PNM)를 결합한 반도체로 메모리와 가까운 위치에 프로세서를 배치해 데이터 이동을 줄인다. PNM은 PIM 대비 높은 연산 처리 능력을 가지고 있다. D램 외에도 저장 장치 내부에서 연산 처리가 가능한 SmartSSD 등도 연구되고 있다. 류 부사장은 “HBM-PIM, CXL-PNM, SmartSSD 등 차세대 솔루션 도입을 통해 현재 직면해 있는 데이터 센트릭 컴퓨팅의 많은 문제를 해결할 수 있다”며 “전력 소모, 대역폭, 메모리 병목 현상 등을 개선할 수 있을 것”이고 말했다. 차세대 메모리 솔루션 개발을 위한 업계의 협력도 강조했다. 그는 “전체 시스템 향상을 위해서는 메모리 벤더뿐 아니라, CPU 벤더, 애플리케이션 벤더 등의 전방위적 협력이 필요하다”고 말했다.

디일렉=노태민 기자 [email protected]
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