NXP 반도체가 상단 냉각(top-side cooled) RF 증폭기 모듈 제품군을 16일 발표했다.
해당 제품군은 더 얇고 가벼운 5G 인프라용 라디오를 구현하기 위해 설계됐다. 회사 측은 GaN 멀티칩 모듈 시리즈는 RF 전력용 상단 냉각 솔루션과 결합돼 라디오의 두께 및 무게를 20% 이상 줄일 수 있다고 설명했다.
상단 냉각 RF 전력 모듈 시리즈는 3.3GHz부터 3.8GHz까지 지원하는 200W 출력의 32T32R 라디오용으로 설계됐다. 해당 장치는 자체 LDMOS 및 GaN 반도체 기술을 결합해 광대역 성능으로 높은 이득과 효율을 구현한다. 사용자는 400MHz 순시 대역폭으로 31dB의 이득과 46%의 효율을 누릴 수 있다.
설계 및 제조 측면에서 탁월한 이점을 제공한다. 전용 RF 실드를 제거하고, 경제적이고 간소화된 인쇄 회로 기판을 사용하며, 열관리를 RF 설계에서 분리할 수 있다. 네트워킹 솔루션 제공업체는 이러한 기능을 사용해 모바일 네트워크 사업자를 위한 더 얇고 가벼운 5G 라디오를 제작하고, 전체 설계 주기를 단축할 수 있다.
피에르 피엘 NXP 무선 전력 부문 부사장은 "고출력 기능과 고급 열성능을 결합해 보다 작은 RF 서브 시스템을 구현할 수 있게 됐다"며 "이러한 혁신을 통해 더욱 친환경적인 기지국 배포를 위한 솔루션을 제공하며, 동시에 5G의 안전한 성능 이점을 실현하는데 필요한 네트워크 밀도를 구현할 수 있다"고 말했다.
디일렉=노태민 기자 [email protected]
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