ST마이크로일렉트로닉스(ST)는 질화갈륨(GaN) 트랜지스터를 지원하는 갈바닉 절연 게이트 드라이버 STGAP2GS를 출시했다고 11일 밝혔다. 신제품은 최대 1200V, STGAP2GSN 협폭 버전은 1700V의 고전압 레일에 연결을 지원하며, 최대 15V의 게이트 구동 전압을 제공한다. 연결된 GaN 트랜지스터에 최대 3A 게이트 전류를 싱킹 및 소싱할 수 있어 정밀한 스위칭 전환이 가능하다.  ST는 STGAP2GS가 절연 장벽 전파 지연을 최소화해 45ns의 빠른 동적 응답을 보장한다고 소개했다. 또 전체 온도 범위에서 ±100V/ns의 dV/dt 과도 내성을 제공해 임의 트랜지스터 게이트 변경을 방지한다는 특징이 있다.  ST는 "광학 절연을 제공하는 데 구성요소가 따로 필요하지 않기 때문에 다양한 컨슈머 및 산업용 애플리케이션에 GaN 기술을 적용할 수 있다"고 말했다.

디일렉=노태민 기자 [email protected]
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