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SK키파운드리는 차세대 전력 반도체 질화갈륨(GaN)의 주요 소자 특성을 확보하고, 연내 개발 완료를 목표하고 있다고 19일 밝혔다. SK키파운드리는 GaN 전력 반도체의 시장성과 잠재력에 주목해, 2022년 정식 팀을 구성, GaN 공정을 개발해 왔다. 최근 650V GaN HEMT 소자 특성을 확보했다. 650V GaN HEMT는 전력 효율이 높아, 실리콘 기반 제품보다 방열 기구 비용을 감소시켜, 기존 실리콘과 비교해 최종 고객의 시스템 가격이 큰 차이가 나지 않게 된다. 이는 실리콘 기반의 650V 제품으로 고속 충전 어댑터, LED 조명, 데이터센터와 ESS, 태양광 마이크로 인버터 등 시장에서 비즈니스 중인 팹리스 고객들의 프리미엄 제품 개발에 유리한 장점으로 작용할 것이라는 것이 회사측의 설명이다. SK키파운드리 관계자는 "650V GaN HEMT를 기반으로 다양한 전압의 GaN HEMT와 GaN IC까지 제공할 수 있는 GaN 포트폴리오를 구축해 나갈 계획"이라고 설명했다. 이동재 SK키파운드리 대표는 "SK키파운드리의 강점인 고전압 BCD와 더불어 차세대 전력반도체를 준비중"이라면서, "GaN 뿐만 아니라 향후 SiC까지 전력 반도체 라인업을 넓혀 전력 반도체 전문 파운드리로 자리매김하겠다"고 말했다.

디일렉=노태민 기자 [email protected]
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