중국 전자업체 실란(silan, 士兰微)이 총투자금 3조6000억원 규모(220억위안)의 아날로그·화합물 반도체 제조공장 착공식을 지난 18일 샤먼시(上海)에서 했다. 300mm웨이퍼 반도체 제조 라인 2기와 150mm웨이퍼(100mm겸용) 라인 1기를 짓는다. 300mm 웨이퍼 라인에선 90~65나노미터 공정으로 전력반도체와 미세전자기계시스템(MEMS) 센서 등을 생산한다. 이번 달에 공사 절반을 지난 광저우아오신반도체(CanSem, 奥芯)의 아날로그 반도체 제조공장(130~180나노)보다 앞선 공정을 채택했다. 아날로그 반도체 라인의 설계 생산능력은 월 8만장이다. 초기 생산능력은 월 4만장. 투자는 두 단계로 나뉜다. 각 단계별로 라인 1기씩 착공할 것으로 추정된다. 1단계 투자가 끝나는 2022년 생산예정이다. 2단계 투자는 2022년 시작, 2024년 생산예정이다. 300mm 웨이퍼 라인 총 투자비는 170억위안(약 2조7700억원)이다. 아오신반도체 프로젝트의 총투자금액 70억위안의 두 배가 넘는다. 화합물 반도체 라인에서는 3세대 전력반도체, 광통신 부품, LED칩 등을 2021년부터 생산할 예정이다. 3세대 반도체는 질화갈륨(GaN), 탄화규소(SiC) 등을 말한다. 설계 생산능력은 50mm(2인치) 웨이퍼 기준 월 116만장이다. 1단계 투자에 월 45만장, 2단계 투자 후 71만장이 증산된다. 2단계 투자는 2021년 시작, 2024년 생산예정이다. 화합물 반도체 라인의 총투자비는 50억위안(8100억원)이다. 1997년 설립 당시 펩리스(fabless) 설계 회사로 시작한 실란은 아날로그 반도체 제조·패키지 공장을 지으며 종합반도체업체(IDM)로 성장했다. 지난해 매출은 27억위안(4400억원)을 기록했다. 이날 착공식에는 중국 국가IC산업투자기금 딩원우(丁文武) 총재도 참석했다.