로옴이 650V 내압의 실리콘카바이드(SiC) 쇼트키 배리어 다이오드가 내장된 하이브리드 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT) RGWxx65C 시리즈를 개발했다고 8일 밝혔다.  RGWxx65C 시리즈는 IGBT의 귀환부인 환류 다이오드 및 프리 휠 다이오드에 저손실 SiC 쇼트키 배리어 다이오드를 채용했다. 기존 IGBT 제품 대비 ON 시의 스위칭 손실이 대폭 감소됐다.  차량용 충전기에 탑재하는 경우, 기존 IGBT 대비 67%의 저손실화, SJ-모스펫(Super Junction MOSFET) 대비 24%의 저손실화를 달성해 준다. 비용 절감 효과가 높아 자동차, 산업기기 애플리케이션의 저소비전력화에 적합하다.  RGWxx65C는 전기자동차와 전동화 차량(xEV)에 탑재되는 차량용 충전기(OBC), DC/DC 컨버터, 태양광 발전의 파워 컨디셔너 등에 사용될 수 있다. 자동차 신뢰성 규격 AEC-Q101를 준수한다.  RGWxx65C 시리즈는 RGW60TS65CHR, RGW80TS65CHR, RGW00TS65CHR 3종으로 출시된다. 이 제품은 지난 3월부터 샘플 출하를 시작했다. 샘플 가격은 개당 1200엔이다. 오는 12월부터 월 2만개의 생산 체제로 양산할 예정이다. 평가 및 도입에 필요한 구동 회로의 설계 방법을 게재한 애플리케이션 노트, SPICE 모델 등의 설계 데이터를 로옴 웹사이트에서 제공한다.