마이크로칩테크놀로지는 최대 20GHz 주파수를 지원하는 새로운 MMIC(단일마이크로파집적회로) 및 디스크리트 트랜지스터를 출시한다고 2일 밝혔다.
이들 디바이스는 PAE(전력부가효율) 및 고선형성을 결합해 5G에서 전자전, 위성 통신, 상용 및 방위 레이더 시스템, 테스트 장비에 이르는 다양한 산업 분야에 적용할 수 있다. 또한 GaN(질화갈륨)-on-SiC(탄화규소) 기술을 적용해, 고전력 밀도 및 수율 측면에서 최상의 조합을 제공한다. 255℃의 접합 온도에서 고전압 작동 및 100만 시간 이상의 수명을 제공한다.
해당 디바이스에는 2~18GHz, 12~20GHz 및 12~20GHz 범위에서 최대 20W의 P3dB(3dB 압축점) RF 출력 파워 및 최대 25%의 효율을 제공하는 GaN MMIC가 포함된다. 또한 PAE가 최대 60%인 S-밴드 및 X-밴드를 위한 베어(bare) 다이 및 패키지된 GaN MMIC 증폭기, DC~14GHz에서 최대 100W의 P3dB RF 출력 파워 및 최대 70%의 효율을 제공하는 디스크리트 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT) 디바이스가 포함된다.
GaN 디바이스 외에도 마이크로칩의 RF 반도체 포트폴리오에는 GaAs(갈륨비소) RF 증폭기 및 모듈, 저소음 증폭기, 프론트엔드 모듈(RFFE), 버랙터(varactor), 쇼트키(Schottky), PIN 다이오드, RF 스위치, 전압 가변 감쇠기가 포함된다. 또한 마이크로칩은 고성능 표면탄성파(SAW) 센서, 미세전자기계시스템(MEMS) 오실레이터, 마이크로컨트롤러(MCU)를 Bluetooth, Wi-Fi, LoRa 등 주요 단거리 무선 통신 프로토콜을 지원하는 RF 트랜시버와 결합한 고집적 모듈도 제공한다.
마이크로칩 및 마이크로칩의 공인 판매업체는 디자인을 돕기 위해 보드 디자인 지원을 제공한다. 또한 새로운 GaN 제품을 위한 소형 모델을 제공해, 고객이 보다 용이하게 성능을 모델링하고 시스템의 파워 증폭기를 신속하게 디자인할 수 있도록 지원한다.
