펠리클, ALD, 멀티패터닝 등 EUV 기술은 '진화중'
1월12일, 디일렉 주최 EUV웨비나에서 최신 트렌드 소개
한양대 EUV-IUCC 및 포항가속기연구소 석학들이 설명
1월12일, 디일렉 주최 EUV웨비나에서 최신 트렌드 소개
한양대 EUV-IUCC 및 포항가속기연구소 석학들이 설명
1. 멀티패터닝
먼저 D램 공정을 위한 멀티패터닝 기술의 경우 2030년께 나올 전망이다. 오혜근 한양대 교수는 "EUV 공정이 얼마나 미세한 회로를 구현할 수 있는지는 메모리와 비메모리 반도체를 구별할 필요가 있다"고 말했다. 오혜근 교수는 "TSMC 등 파운드리 업계가 거론하는 3nm 노드는 비메모리반도체인 ASIC(주문형반도체)에 적용되는 얘기다. 비메모리반도체의 3nm를 메모리반도체로 환산하면 16nm급이 된다" 며 "EUV 공정을 통해 양자역학적으로 메모리반도체 소자에 문제가 없다고 알려진 2nm, 3nm 급까지 구현해낼 수 있을 것"이라고 전망했다. 그는 "현재 30여개의 반도체 층에서 EUV 공정이 적용되는 층은 5개 수준이지만, 향후에는 적용 비중도 더 커질 것"이라고 내다봤다. 오 교수는 EUV 노광공정의 장기적인 전망과 관련해서는 "오는 2030년이나 2035년에는 EUV에서도 멀티패터닝 기술을 쓸 수 있을 것으로 보인다"며 "향후에는 EUV 공정의 확대와 함께 원자 단위의 크기를 구현하는 AFM(원자간력 현미경) 등의 대체 물질도 등장할 수 있을 것"이라고 설명했다.2. ALD
EUV 공정에서 ALD의 활용도도 높아질 전망이다. ALD는 원자층증착법의 약자로, 원자 수준인 1옹스트롬(0.1 nm) 두께로 다층 증착할 수 있는 기술이다. 현재 반도체 업계에서 보편적으로 활용되는 CVD(화학기상증착법) 대비 증착 속도는 느리지만, 반도체 공정이 급격히 미세화되면서 ALD에 대한 중요도가 더 높아지는 추세다. 박진성 한양대 교수는 "주요 파운드리 업체가 5nm 이하의 초미세 공정 경쟁을 벌이면서, 더 작은 층을 균일하게 증착하는 ALD가 전 세계적으로 더 많이 활용될 것"이라며 "초미세 공정에서 CVD는 분명히 한계가 있다"고 말했다. 박 교수는 이어 "ALD는 D램, 낸드, 로직 등 반도체 산업 전반에서 이미 양산 단계로 활용 중"이라며 "지금처럼 전체 면적을 증착하는 것이 아닌 원하는 부분만을 선택적으로 증착할 수 있는 ALD 기술도 전 세계 주요 연구기관에서 개발하고 있다"고 덧붙였다.3. 펠리클
4. 패키징
EUV 공정 도입이 본격화되면서, 필연적으로 수반되는 게 패키징 기술의 진화다. 김학성 한양대 교수는 "전공정 미세화가 한계에 접어들고, 웨어러블 디바이스와 같은 초소형 기기가 개발되면서 칩을 고밀도로 집적하는 패키징 기술이 부각되고 있다"며 "주요 파운드리 업체들도 패키징의 중요성을 인지하고 있는 상황"이라고 설명했다. 김학성 교수가 본 패키징 기술의 핵심은 MCP(다중 칩 패키지)다. 김학성 교수는 "D램 칩을 8단, 12단으로 3D 적층하게 되면서 각 칩을 유기적으로 연결하는 고난이도 기술이 극적으로 발전하고 있다"며 "이미 개발됐던 기술들이 시장 수요와 맞물리면서 꽃을 피운 것"이라고 밝혔다. 김 교수는 "대만 OSAT 업체들이 TSMC를 위주로 기술력을 강하게 키워 온 반면, 우리나라는 이러한 생태계가 덜 성숙해 있는 면이 있다"며 "국내 소부장 업체도 주요 반도체 업체와 함께 공정 및 장비 기술을 발전시킬 필요가 있다"고 강조했다.5. R&D 인프라
빠르게 도입되는 EUV 기술과 관련해, 국내 EUV 관련 R&D 인프라닌 미흡하다. 이상설 포항가속기연구소 박사는 "EUV라는 빛의 특성을 연구할 수 있는 장비를 갖춘 곳은 현재 포항가속기연구소가 유일하다"며 "국내 EUV 연구 활성화를 위한 인프라를 확충하는 게 필요하다"고 지적했다. 이상설 박사는 "수요 기업 입장에서는 노광장비나 검사장비 등 EUV 인프라가 절반 정도 갖춰져 있으나, 차세대 공정을 위한 연구 인프라는 수요 기업에서조차도 별로 없는 상황"이라며 "올바른 EUV 생태계 구축을 위해서는 공공 성격의 인프라 구축이 아주 시급하다"고 밝혔다.Tag
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