Low-K, 낮은 신호전파 지연으로 층간 절연막 소재로 각광
테스가 국내에서는 처음으로 Low-K(저유전율) 물질 증착장비 상용화를 앞두고 있다. 현재 개발을 80~90% 까지 마친 상황이다. 올 상반기 내로 주요 메모리 제조업체에 공급할 수 있을 것으로 전망된다.
22일 업계에 따르면 테스는 Low-K PECVD(플라즈마 화학 기상 증착) 장비의 개발을 대부분 마무리지었다.
Low-K는 반도체 업계에서 가장 보편적으로 활용되는 절연막 소재인 실리콘옥사이드(SiO2) 대비 유전율이 낮은 물질을 뜻한다. 유전율은 동일한 전압에서 전하를 얼마나 더 많이 저장할 수 있는지를 나타내는 척도다. 실리콘옥사이드의 유전율은 3.9~4.2 수준이다.
현재 테스는 Low-K 물질을 증착할 수 있는 PECVD 장비를 개발하고 있다. PECVD는 초고온의 플라즈마를 이용해 박막을 형성하는 장비다. 현재 개발이 80~90% 가량 완료된 단계로, 개발 및 테스트는 국내 주요 메모리 업체와 진행하고 있는 것으로 파악됐다. 진행 과정상 올해 상반기에는 개발을 완료해 상용화 단계에 돌입할 수 있을 것으로 전망된다. 매출 발생 시점은 하반기가 유력한 상황이다.
Low-K 물질은 실리콘옥사이드 대비 저장 가능한 전하 용량이 낮으나, 그만큼 신호전파의 지연이 크게 줄어 전류를 빠른 속도로 흐르게 할 수 있다는 장점이 있다. 때문에 Low-K 물질은 배선이 빽빽하게 밀집된 구간에 필요한 층간 절연막 소재로 적합하다는 평가를 받는다. 특히 반도체 미세화 공정의 발달로 칩의 집적도가 높아지면서 Low-K 물질에 대한 수요도 함께 증가하는 추세다.
Low-K 물질 증착장비의 국산화 사례가 이번이 처음이라는 점도 의미가 있다. Low-K 증착장비는 해외의 주요 반도체 장비업체인 어플라이드머티어리얼즈가 주도해 온 장비로, 그간 국내 메모리 제조업체들은 전적으로 수입에 의존할 수밖에 없었다. 국내 반도체 업계가 국산화 및 공급망 다변화에 속도를 내고 있는 만큼, 테스도 이번 Low-K 물질 증착장비 국산화로 매출을 확대할 수 있을 것으로 전망된다.
