출시 이전부터 글로벌 고객사에 8대 공급 계약
파크시스템스는 EUV(극자외선) 공정의 포토 마스크에 발생하는 나노미터 크기의 결함 및 파티클을 안전하고 효과적으로 제거할 수 있는 신제품 'Park NX-Mask'를 정식 출시했다고 4일 밝혔다.
포토 마스크는 유리 기판 위에 반도체 회로 패턴을 형성한 것으로, 사진 원판인 필름 역할을 담당하는 반도체 리소그래피 공정의 핵심 부품이다. 포토마스크에 빛을 투과하거나 반사시켜 웨이퍼에 조사하는 방식으로, 설계한 반도체 회로를 웨이퍼나 기판에 전사하게 된다.
Park NX-Mask는 EUV 마스크를 위한 듀얼 포드를 지원하며, 마스크 패턴에 발생한 결함 및 파티클의 형상 측정 및 제거, 제거 후 검증까지 모든 과정을 하나의 솔루션으로 완벽하게 제공한다. 이로써 반도체 제조사들은 고비용의 EUV 공정에서 생산원가를 낮추고, 디바이스 수율을 높일 수 있다.
전자빔이나 레이저를 사용하는 다른 마스크 리페어 기술은 전자빔 또는 레이저빔의 크기를 줄이는 데 한계가 있어, EUV기술이 사용되는 최첨단 반도체 미세 패턴에는 사용이 점점 어려워지고 있다. 그러나 Park NX-Mask는 원자현미경 기반의 나노머시닝(Nano-machining) 기술을 통해 마스크 패턴과 결함의 정확한 위치정보 및 형상정보를 정밀하게 파악하고, 팁의 정밀 위치제어를 통해 포토마스크 패턴이나 표면에 영향을 주지 않고 결함을 선택적으로 제거할 수 있다.
이같은 장점 덕분에 Park NX-Mask는 공식 출시 이전부터 글로벌 고객사들로부터 8대의 수주를 받았다.
한편 산업통상자원부는 'EUV Mask 결함 검출 및 분석기술'을 장기적으로 개발이 필요한 최첨단 기술로 평가하고, 2025년까지 수행하는 대규모 산학연 국책과제 총괄기업으로 파크시스템스를 선정했다. 과제총괄을 맡은 조상준 전무는 "본 과제를 통해 해당기술의 고도화와 시장확대를 위한 기술개발에 매진할 계획이며, 이를 통해 회사의 성장과 더불어 국가 반도체산업 기술발전에 기여하겠다"고 밝혔다.
디일렉=장경윤 기자 [email protected]
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