제 5회 파워반도체-파워코리아 포럼서 밝혀
"8인치 SiC 공정 개발 2026년까지 마무리…2028년 중순 양산 투자 시작"
웨이퍼 수급은 SK실트론, SOITEC 두 업체와 논의
제 5회 파워반도체 - 파워코리아 포럼에서 발표 중인 심천만 DB하이텍 상무. 사진=장경윤 기자
"시장 상황에 따라 유동적일 수 있지만, 현재 8인치 SiC 공정 양산 투자는 2028년 7월부터 진행할 계획입니다. 웨이퍼 수급은 SK실트론, SOITEC(소이텍) 두 업체를 활용하려고 논의 중입니다."
심천만 DB하이텍 상무는 22일 오후 더케이호텔 서울에서 열린 '제5회 파워반도체-파워코리아 포럼'에서 화합물 전력반도체 사업 전략에 대해 이같이 밝혔다.
화합물 반도체는 두 종류 이상의 원소로 구성된 반도체다. SiC(탄화규소)와 GaN(질화갈륨) 등이 대표적으로, 이들 소재는 기존 Si(실리콘) 대비 전력 효율과 고온에 대한 내구성이 높다는 강점이 있다. 이 덕분에 전기차를 비롯한 오토모비트, 통신, 방산, 우주항공 등 산업 전반에 걸쳐 수요가 증가하는 추세다.
현재 DB하이텍은 상우캠퍼스 내 유휴 부지를 활용해 8인치 웨이퍼 기반의 SiC, GaN 개발 및 생산 시스템 구축하려 하고 있다. GaN 분야는 올해부터 8인치 웨이퍼 기반의 공정 개발을 시작했다. 현재 RFHIC, 시지트로닉스, 에이프로세미콘 등의 파트너사와 협력 중인 것으로 알려졌다.
SiC의 경우 아직 8인치 웨이퍼가 상용화 단계에 이르지 못했다. 때문에 DB하이텍은 우선 6인치 웨이퍼 기반의 전력반도체를 개발하고 있으며, 이를 기반으로 향후 8인치 공정으로 전환할 예정이다. 개발 완료 목표 시기는 2026년 말로 잡았다.
8인치 SiC 양산을 위한 투자는 이르면 2028년 중순부터 진행될 전망이다. 심천만 상무는 "시장 상황에 따라 유동적이긴 하지만, 1차 양산 투자를 2028년 7월, 2차 양산 투자를 2031년 1월로 보고 있다"며 "자동차용 인버터보다는 OBC, 충전소, 태양광 등의 시장에 먼저 진입할 것"이라고 설명했다.
8인치 SiC 웨이퍼 수급은 SK실트론과 SOITEC을 활용할 계획이다. 두 업체 모두 오는 2025~2026년경에 8인치 SiC 웨이퍼를 양산하기 위한 투자를 진행하고 있다.
심천만 상무는 "SiC 웨이퍼 수급이 관련 사업의 가장 큰 도전 과제 중 하나"라며 "울프스피드, 투식스 등은 이미 IDM 업체들과 장기공급계약이 돼 있어, SK실트론과 SOITEC과 웨이퍼 수급을 위한 논의를 진행하고 있다"고 밝혔다.
한편 이번 행사는 차세대 파워반도체(전력반도체) 소재와 관련한 정부의 R&D 투자 방향 및 기술 동향을 소개하기 위해 마련됐다.
