메모리 반도체 기업 키옥시아·웨스턴디지털은 최신 8세대 218단 'BiCS 플래시(BiCS FLASHTM)' 3D 플래시 메모리 기술에 대한 세부 정보를 3일 발표했다. BiCS 플래시는 낸드의 셀을 수직으로 쌓아올리기 위해 키옥시아가 고안한 3D 낸드플래시 기술이다. 이번 8세대 제품에는 고도화된 미세화 및 웨이퍼 본딩 기술이 적용됐다. 키옥시아의 수직 및 측면 미세화 기술은 작은 크기의 다이(die)와 적은 수의 단으로도 한층 높은 용량을 구현할 수 있게 만든다. 또한 양사는 CMOS 웨이퍼와 셀 어레이 웨이퍼를 최적화된 환경에서 개별적으로 제조한 후 결합해 향상된 비트 밀도와 빠른 낸드 입출력(I/O) 속도를 제공하는 CBA(CMOS Direct Bonded to Array) 기술을 개발했다. 이번 218단 3D 플래시는 4개의 플레인(plane)으로 이뤄진 1Tb 트리플 레벨 셀(TLC)과 쿼드 레벨 셀(QLC)을 활용하며, 비트 밀도를 50% 이상 향상시키는 측면 축소 기술을 특징으로 한다. 이전 세대 대비 60% 향상된 3.2Gb/s 이상 고속 낸드 입출력과 20% 향상된 쓰기 성능 및 읽기 지연 시간을 제공한다. 키옥시아의 마사키 모모도미 CTO는 "양사는 독보적인 엔지니어링 파트너십을 통해 업계 최고 비트 밀도를 제공하는 8세대 BiCS 플래시를 선보일 수 있게 됐다"며 "CBA 기술과 미세화 혁신을 적용하면서 3D 플래시 메모리 기술 포트폴리오를 스마트폰, IoT 장치 및 데이터센터 등 다양한 데이터 중심 애플리케이션에 사용할 수 있도록 발전시킬 수 있었다"고 말했다.

디일렉=장경윤 기자 [email protected]
《반도체·디스플레이·배터리·전자부품 분야 전문미디어 디일렉》