디에스테크노가 티씨케이를 상대로 제기한 SiC 제조 특허무효 소송을 자진 취하했다. 해당 특허는 지난 3월 최종심 결과가 나온 SiC링 제조방법 및 장치에 대한 세부 특허다. 승소 가능성이 없고 소송 비용만 증가한다고 판단을 내린 것으로 보인다. 다만, 두 기업은 여전히 2건의 민사소송(SiC링 제조방법 특허, CVD를 통한 SiC 제조법 특허)를 남겨두고 있어 소송전이 오래 갈 것으로 전망된다.  15일 업계에 따르면 디에스테크노는 지난 12일 티씨케이를 상대로 제기한 SiC링 제조특허 무효 심결 취소 소송을 자진 취하했다. 해당 특허는 지난 3월 대법원 판결에서 티씨케이가 승소한 SiC링 제조방법·장치에 관한 특허의 세부 특허(특허 제 2208252호)다. 디에스테크노 측은 "대법원 최종심에서 제조방법 특허 중 일부에 대해 패소함에 따라, 세부 특허 관련 소송을 진행할 필요가 없다는 판단을 내렸다"고 취하 사유를 밝혔다. 디에스테크노의 소송 취하에 대해 티씨케이 측은 "소송 결과를 토대로 특허침해에 대한 피해구제에 적극적으로 나설 것"이라며 "특허를 침해하고 있는 다른 경쟁사들에 대해서도 단호한 법적 조치를 취해 나갈 계획"이라고 입장을 밝혔다. SiC링은 반도체 제조공정에서 웨이퍼를 고정시키는 소모성 부품이다. 기존에 사용되던 쿼츠나 실리콘 소재보다 내구성이 높다. 반도체 기업들은 3D 낸드플래시 등 고부가 제품을 생산할 때 SiC링 사용을 확대하는 추세다. 다만 이번 자진 취하에도 디에스테크노와 티씨케이의 특허 관련 법적다툼은 계속 이어질 전망이다. 대법원 최종심과 별도로 진행 중인 민사소송이 두 건이 남아 있어서다. 이와 관련, 티씨케이는 지난 2019년 디에스테크노를 상대로 'SiC 소재 및 SiC 복합소재'(특허 제1866869호), 'SiC링 소재·물성 특허 및 SiC링 제조 방법'(특허 제1914289호) 관련 소송을 제기했다. 이 중에서 'SiC 소재 및 SiC 복합소재'(특허 제1866869호) 관련 소송은 디에스테크노가 이미 승소했다. 'SiC링 소재·물성 특허 및 SiC링 제조 방법'(특허 제1914289호)의 경우 지난 3월 대법원 최종심에서 결론이 났다. 해당 특허 중 물성 특허(청구항 1~8)는 디에스테크노가 승소했고, SiC링 제조방법(청구항 9~17)은 티씨케이가 승소했다. 티씨케이 측은 대법원 판결을 토대로 제조방법 특허 관련 손배 소송을 계속 이어가고 있는 중이다.  티씨케이는 2021년에도 디에스테크노를 상대로 또 다른 소송을 제기했다. 'CVD를 통한 SiC 제조법'(특허 제 2117888호)과 관련, 서울중앙지방법원에 특허침해금지 및 손해배상청구 소송을 냈다. 현재 진행 중인 이 특허 관련 소송에서 디에스테크노는 "티씨케이가 관련 특허를 출원(2019년 6월 21일)하기 이전인 2015년 시제품 시험을 했고, 2016년 제품을 납품한 이력이 있다"는 주장을 펴고 있다. '선사용권'에 대해 인정받을 확률이 높다는 게 디에스테크노 측 설명이다. 디에스테크노 관계자는 "현재 진행 중인 2건의 민사소송 관련, 우리(디에스테크노)는 티씨케이의 SiC링 제조방법 특허를 사용하지 않고 있으며, 'CVD를 통한 SiC 제조 특허'도 티씨케이 특허 출원 이전에 개발했다는 사실을 입증할 수 있다"며 "승소 가능성이 높다"고 강조했다.

디일렉=노태민 기자 [email protected]
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