마이크론이 6세대(1c) 10nm급 D램 비트라인과 워드라인에 몰리브덴과 루테늄을 적용할 것으로 예상된다. 비저항을 낮추기 위해서다. 1a, 1b 등 D램 까지는 비트라인과 워드라인에 텅스텐이 사용됐다.  최정동 테크인사이츠 수석부사장은 지난 30일 《디일렉》이 개최한 '2024 반도체 산업·테크 대전망 콘퍼런스'에서 "현재 시중에 나와있는 1a나 1b까지는 몰리브덴이나 루테늄을 사용하지 않았지만, 1c부터는 적용될 예정"이라며 "내년이나 내후년부터는 D램 일부 제품에는 비트라인과 워드라인에 몰리브덴, 루테늄을 사용할 것으로 예상된다"고 말했다.  D램 비트라인과 워드라인에 몰리브덴과 루테늄을 가장 먼저 적용하는 기업은 마이크론이다. 삼성전자와 SK하이닉스는 1c D램도 텅스텐을 사용한다. 최 수석부사장은 "삼성전자와 SK하이닉스는 마이크론 대비 1세대나 2세대 정도 이후부터 몰리브덴과 루테늄을 적용할 것으로 보인다"고 전했다. 마이크론이 1c D램부터 몰리브덴과 루테늄을 적용하는 이유는 D램 선폭을 줄이기 위해서다. 몰리브덴과 루테늄은 텅스턴 대비 비저항이 낮아, 차세대 금속배선 소재로 주목받고 있다.  다만, 루테늄 적용을 위해서는 장비 유지 보수 등 문제 해결이 필요하다. 공정 중 챔버 내부에서 발생하는 사산화 루테늄은 독성을 가지고 있기 때문이다. 마이크론의 극자외선(EUV) 장비 도입에 대해서도 언급했다. 최 수석 부사장은 "(마이크론이) 1b 제품까지는 (EUV 장비를) 사용하지 않고 있는데, 현재 개발 중인 1c에는 EUV를 한 레이어 사용한다"고 말했다. 이어 "삼성전자는 이미 1a, 1b 공정에서 5스텝 이상을 사용하고 있으며, 추후 8~9개 스탭까지 사용이 확대될 것으로 예상된다"고 설명했다.  삼성전자는 지난 2020년 3월 업계 최초로 EUV 공정을 적용해 D램을 양산했고, SK하이닉스는 2021년 7월 EUV 공정을 D램에 도입한 바 있다. 마지막으로 최 수석부사장은 "7nm에서 8nm 정도에서 D램 셀 구조 변화가 있을 것"이라며 "현재 메모리 반도체 3사가 3D D램, 4F 스퀘어 등 차세대 메모리 반도체 연구를 주도하고 있다"고 설명했다. 테크인사이츠는 세계 최대 규모 반도체 리버스엔지니어링 기업이다. 반도체 기업에 특허 침해 여부를 분석하는 서비스 등을 제공한다. 최 수석부사장은 테크인사이츠에서 메모리 부문을 총괄하고 있다.

디일렉=노태민 기자 [email protected]
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