DB하이텍이 중국의 레거시 반도체 물량 공세에 대응하기 위해 화합물 반도체 시장 공략에 나선다. 이를 위해 오는 3분기 질화갈륨(Gan) 반도체 양산에 필요한 엑시트론 유기금속화학증착(MOCVD)를 반입해 올해 말까지 양산 준비를 마치겠다는 계획이다. MOCVD 장비는 GaN 웨이퍼 제조의 핵심 장비로, GaN 박막을 성장시키는 데 쓰인다.  22일 업계에 따르면 DB하이텍은 3분기 수백억원 규모 엑시트론 MOCVD 장비를 충북 음성에 위치한 상우팹에 반입한다. 상우팹은 DB하이텍의 화합물반도체 생산 및 연구개발(R&D) 거점이다. 업계 관계자는 "DB하이텍이 3분기 MOCVD 장비를 설치하고, 4분기에는 공정 프로세스를 셋업을 목표하고 있는 것으로 알고 있다"며 "내년 초부터 GaN 파운드리 영업을 시작할 것으로 보인다"고 말했다. 이어 "이번 투자를 통해 DB하이텍의 전력반도체 포트폴리오(BCDMOS 등)는 더욱 확대됐다"고 설명했다.  GaN은 대표적인 차세대 전력반도체 소자다. 고전압, 고속 스위칭 등 특징을 가지고 있다. 현재, 무선충전, 통신기기, DC-DC 컨버터에 주로 활용되고 있으며, 향후에는 에너지저장장치(ESS), 태양광인버터 등에도 탑재될 것으로 보인다. 추가 투자도 예상된다. DB하이텍은 지난해 12월 'DB하이텍 경영혁신 계획'을 발표하면서 4000억원을 투자해, 2026년까지 GaN 반도체 월 생산능력(CAPA)를 1만장까지 갖추고 발표한 바 있다. 이외에도, 탄화규소(SiC) 반도체 시장 진출을 위해 7000억원을 투자하고, 2030년까지 월 2만장 CAPA를 갖추겠다는 목표도 공유했다. 이를 위해 SiC 반도체 개발을 위한 이온 임플란트 장비를 오는 3분기 상우팹에 반입한다. 업계에서는 8인치 파운드리 기업들의 8인치 GaN 반도체 사업 진출에 크게 두 가지 요소가 영향을 끼쳤다고 분석하고 있다. 첫 번째는 중국의 8인치 파운드리 확대다. 최근 중국 파운드리 기업이 공격적인 8인치 팹 확장에 나서면서, 시장 경쟁이 더욱 치열해졌기 때문이다. 두 번째는 8인치 GaN 공정 라인에 기존 8인치 실리콘(Si) 반도체 장비를 사용할 수 있다는 점이다. 상대적으로 적은 투자 금액으로 GaN 시장 진출이 가능하다는 얘기다. DB하이텍 외 삼성전자도 엑시트론의 MOCVD 장비를 대량 발주한 것으로 알려졌다. 삼성전자도 내년 GaN 반도체 본격 양산을 목표하고 있다. 업계 관계자는 "현 준비 상황을 살펴보면, 양산 시점은 삼성전자보다 DB하이텍이 소폭 빠를 것"이라고 귀띔했다. 한편, 시장조사업체 욜디벨롭먼트는 GaN 시장이 2022년 1억8500만달러에서 2028년 20억3500만달러로 연평균 약 49%로 급속 성장할 것이라 전망했다. 또 SiC 시장은 2022년 17억9400만달러에서 2028년 89억600만달러까지 성장할 것으로 내다봤다.

디일렉=노태민 기자 [email protected]
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