DB하이텍이 실리콘카바이드(SiC) 반도체 개발에 속도를 낸다. 연구개발(R&D)용 장비를 최근 발주했다. 또한 부산 테크노파크에서 진행하던 SiC 반도체 관련 연구개발(R&D)도 충북 음성에 위치한 상우 팹에서 진행하기로 했다. 24일 업계에 따르면 DB하이텍이 미국 장비 기업 엑셀리스에 SiC 반도체용 이온 임플란트 장비를 소량 발주했다. 이 장비는 오는 8월 상우 팹에 입고될 예정이며, 8인치 SiC 공정 R&D에 사용될 것으로 보인다.  장비업계 관계자는 "엑셀리스 장비의 경우, R&D 용으로 소량 반입된다"며 "상우 팹 유휴 공간에 배치될 것으로 보이고, 8인치 SiC 반도체 개발에 사용될 것으로 보인다"고 말했다. 이온 임플란트 장비는 전공정 중 하나인 이온 임플란트 공정에 사용된다. 웨이퍼에 이온을 주입시켜, 전기적 특성을 갖게 하는 공정이다. 이온 임플란트 장비 시장은 엑셀리스가 글로벌 점유율 2위를 차지하고 있다. 1위는 어플라이드머티어리얼즈(어플라이드), 3위는 일본 닛신(Nissin)이다. DB하이텍이 엑셀리스 장비를 발주한 이유는 유지 보수 때문인 것으로 추정된다. DB하이텍 기존 8인치 라인에서는 대부분 엑셀리스 이온 임플란트 장비를 사용하고 있다. 이번 장비 도입을 통해 SiC 반도체 관련 R&D는 더욱 가속화될 것으로 보인다. 기존에는 부산테크노파크 시설을 이용해 6인치 SiC 반도체 공정 개발을 진행 중이었다. 이온 주입 후 활성화를 위한 어닐링 장비 발주도 예상된다. SiC 공정 중 이온 활성화를 위해서는 1700°C 고온이 필요하다. 기존 Si 어닐링 장비는 1700°C까지 온도를 올릴 수 없다.  삼성전자도 SiC 반도체 R&D를 위해 닛신에 이온 임플란트 장비를 소량 발주했다. 해당 장비는 오는 2~3분기 내 삼성전자 기흥캠퍼스에 반입될 예정이다. 업계에서는 8인치 파운드리 기업들의 8인치 SiC 반도체 사업 진출에 크게 두 가지 요소가 영향을 끼쳤다고 분석하고 있다. 첫 번째는 중국의 8인치 파운드리 확대다. 최근 중국 파운드리 기업이 공격적인 8인치 팹 확장에 나서면서, 시장 경쟁이 더욱 치열해졌기 때문이다. 두 번째는 8인치 SiC 공정 라인에 기존 8인치 Si 반도체 장비를 사용할 수 있다는 점이다. 상대적으로 적은 투자 금액으로 SiC 시장 진출이 가능하다는 얘기다. 한편, DB하이텍 등 국내 8인치 파운드리 가동률은 지난해 4분기부터 소폭 반등 중인 것으로 알려졌다. 고객 확보를 위한 가격 인하 정책 등이 영향을 미쳤다.

디일렉=노태민 기자 [email protected]
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