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DB하이텍, 차세대 전력반도체 GaN·SiC 개발 총력
DB하이텍, 차세대 전력반도체 GaN·SiC 개발 총력
  • 노태민 기자
  • 승인 2023.10.18 14:58
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DB하이텍 부천캠퍼스 전경. 출처 : DB하이텍
DB하이텍 부천캠퍼스 전경. <사진=DB하이텍>
8인치 반도체 기업 DB하이텍이 차세대 전력반도체 개발에 나선다.  DB하이텍은 최근 갈륨나이트라이드(GaN), 실리콘카바이드(SiC) 디바이스 제조에 필요한 핵심 장비를 도입하는 등 제품 개발에 박차를 가하고 있다고 18일 밝혔다.  GaN과 SiC 소재 반도체는 기존 실리콘(Si) 기반 반도체보다 고전압·고주파·고온에 강하고 전력 효율이 높다. 전기차, 신재생에너지, 고속 충전 등 분야에서 사용되고 있다.  DB하이텍은 GaN 전문 팹리스 에이프로세미콘과 협력해 파운드리 공정 도입을 준비하고 있으며, SiC는 국책과제의 일환으로 부산테크노파크 등과 개발 협력 중이다. DB하이텍은 "GaN과 SiC를 기반으로 경쟁 우위 주력 사업인 전력반도체 라인업 확대로 미래를 준비할 것"이라며 "특히 8인치 (SiC) 시장에 적기 진입해 점유율을 높이겠다"고 전했다.

디일렉=노태민 기자 [email protected]
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#DB하이텍 #파운드리 #8인치 #SiC #GaN
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