반도체 후공정기업(OSAT) LB세미콘이 반도체 파운드리(위탁생산) 기업 DB하이텍과 협력해 고전력소자 제품용 RDL(Re Distribution Layer) 개선 제품을 개발한다.  RDL은 칩 내부의 입출력(I/O) 패드를 외부와 연결하기 위해 재배치하는 금속 배선층이다. 고성능∙고집적 칩을 패키징할 때 널리 활용된다. 협업에는 디스플레이 구동반도체(DDI) 패키징 전문 기업 LB루셈도 참여한다. LB세미콘이 프론트 공정을, LB루셈이 백 사이드 공정을 맡는다. LB세미콘이 웨이퍼 표면에 배선을 까는 등 회로 형성에 필요한 모든 과정을 진행한 후, LB루셈이 웨이퍼 뒷면을 연마(그라인딩)하고 테스트한다. 양사의 기술적 강점을 십분 활용해 경쟁력을 높이는 전략이다. 2025년 1분기 양산이 목표다.  LB세미콘은 DB하이텍의 8인치 탄화규소(SiC)∙질화갈륨(GaN) 반도체 신사업에서도 협력한다. 차세대 전력 반도체 소재로 꼽히는 SiC∙GaN 반도체에서 패키지·테스트 역량을 발휘한다. SiC∙GaN은 기존 실리콘 기반 반도체보다 물성이 좋아 전기차, 에너지저장장치(ESS), 인공지능(AI) 응용처 등에 쓰일 것으로 전망된다.  LB세미콘 관계자는 “안정적인 파운드리 파트너를 확보해 빠른 성장이 예상되는 전력 반도체 사업에 진출할 수 있는 기반을 마련하게 됐다”며 “전력 반도체의 신뢰성과 기술력을 더욱 높이겠다”고 말했다.