삼성전자가 28나노 완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터(FD-SOI) 공정 위탁생산(파운드리) 신규 고객사로 프로그래머블반도체(FPGA) 업체 래티스를 확보했다. 래티스가 삼성전자 파운드리와 협력한 것은 이번이 처음이다. 11일 래티스는 28나노 FD-SOI 공정으로 생산된 FPGA 플랫폼 '래티스 넥서스'와 해당 플랫폼으로 만든 칩인 '크로스링크-NX'를 공개했다. 잉 젠 첸 래티스 아시아태평양 지역 사업개발 이사는 이 제품이 삼성전자 파운드리에서 생산된다고 밝혔다. 크로스링크-NX는 임베디드 비전 FPGA 제품이다. 카메라 장비에 내장된다. 고해상도 영상을 처리할 수 있다. 인공지능(AI) 기술을 활용해 다양한 응용 기능을 구현할 수 있다. FD-SOI 기술로 생산돼 경쟁 제품 대비 전력 소모량으르 75% 절감했다. 크기는 90% 축소했다. 전원이 들어가고 동작하기까지 대기 시간이 8ms 수준으로 낮다. 자동차, 드론, 보안카메라, 머신비전 등에 탑재돼 탑재돼 영상 데이터를 처리하는데 적합하다.  FD-SOI는 실리콘 웨이퍼 위에 전기가 통하지 않는 절연막을 형성하고 그 위에 트랜지스터를 구성하는 기술이다. 실리콘 웨이퍼 위로 올라간 절연 산화막은 트랜지스터 아래쪽 공간을 완전히 공핍하기 때문에 전자가 게이트를 거쳐 이동할 때 발생하는 기생 용량을 낮추고 누설 전류도 크게 감소시킨다. 생산공정도 줄일 수 있어 원가절감이 가능하다. 기생 용량은 반도체 소자에서 부수적으로 생기는 정전 용량이다. 삼성전자는 28나노 FD-SOI 공정 고객사 확보를 최근 영업력을 확대하고 있다. 이 공정은 주로 중보급형 반도체 위탁생산에 활용된다. 올해 초 삼성전자는 28나노 FD-SOI 공정으로 만든 eM램을 출하했다. M램은 전원을 꺼도 데이터가 유지되는 비휘발성을 가지고 있다. 기존에 사용되던 노어(NOR)플래시와 비교해 쓰기 속도가 1000배 더 빠르고 전력소비량이 낮다. 생산비용을 낮춰 저렴한 가격으로 공급할 수 있다고 삼성전자는 설명했다. FD-SOI 공정은 차량 반도체 파운드리용으로도 경쟁력을 발휘할 것으로 예상된다. 삼성전자는 지난 10월 독일에서 열린 '삼성 파운드리 포럼'에서 28나노 FD-SOI를 소개하면서 차량 파운드리 시장을 본격 공략할 예정이라고 밝힌 바 있다.