국내 갈륨나이트라이드(GaN) 에피웨이퍼(Epiwafer) 스타트업 아이브이웍스(IVWorks)가 미국 에피웨이퍼 업체인텔리에피(IntelliEPI)와 GaN 에피웨이퍼 공급과 기술 이전 관련 협력 파트너십을 맺었다고 18일 밝혔다.  에피웨이퍼가 분자빔에피텍시(MBE:Molecular Beam Epitaxy) 장비로 양산한 최대 8인치 GaN-on-Si(실리콘 기판) 에피웨이퍼와 6인치 GaN-on-SiC(실리콘카바이드 기판)를 인텔리에피에 연내 공급하기로 했다. 아이브웍스는 올해 처음 본격 양산 매출을 기록할 것으로 기대하고 있다. 인텔리에피 공급 매출이 올해 아이브이웍스 매출 대부분을 차지할 것으로 전망된다.  2011년 설립된 아이브이웍스 2015년 삼성벤처투자와 송현인베스트먼트 등에서 5억원 가량 시드(Seed)투자를 받은 바 있다. 삼성벤처투자는 작년말 총투자금액 80억원 시리즈B 투자에도 참여했다. 시리즈A·A+를 포함해 아이브이웍스는 작년말까지 120억원 상당의 투자금을 유치했다. 인텔리에피는 MBE 기술로 갈륨아스나이드(GaAs), 인듐포스파이드(InP) 등을 양산하고 있지만, GaN 에피웨이퍼 관련 독자 양산 기술은 없다. 인텔리에피는 "2018년부터 아이브이웍스와 함께 MBE를 이용한 GaN 에피웨이퍼 개발·양산에 협력해왔다"며 "자사의 양산라인에도 GaN 에피웨이퍼 생산 기술을 빠르게 접목할 것"이라고 밝혔다. 인텔리에피는 1999년 설립됐다. 노영균 아이브이웍스 대표는 "인텔리에피의 통신과 광소자 에피웨이퍼 사업에 대한 오랜 경험과 대형 MBE를 이용한 양산기술‚노하우 덕분에 GaN 에피웨이퍼 사업의 경쟁력을 대폭 강화할 수 있을 것"이라며 "이번 파트너십으로 시스템반도체 시장에서 급격히 증가하고 있는 고품질 GaN 에피웨이퍼 수요에 선제적으로 대응하겠다"라고 말했다. GaN 에피웨이퍼는 무선(RF:Radio Frequency) 전력증폭기(PA:Power Amplifier)에 들어가는 GaN 트랜지스터를 만드는데 쓰인다. PA는 통신 과정에서 무선 신호를 증폭하는 기능을 한다. GaN 트랜지스터는 기판에 따라 GaN-on-SiC와 GaN-on-Si으로 세분화되고, GaN-on-SiC이 열배출에 탁월하다. 5세대(5G) 이동통신에서 사용되는 주파수가 이전세대보다 높아지면서 PA에 대한 요구스펙도 높아지고 있다. 기존 PA 트랜지스터에는 실리콘(Si) 기반 LDMOS(Laterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor)가 주로 쓰였다.