○이노사이언스, ASML i라인(365nm), KrF(248nm) 노광장비 구입···2분기 첫 반입
- 지난 9월 양산 준비 단계에 들어간 이노사이언스(innoscience)가 21일 ASML과 노광장비 구매 계약을 체결했음.
- 구매하는 장비는 실리콘 웨이퍼로 질화갈륨(GaN) 전력반도체를 생산할 수 있는 XT400/XT860의 i라인(365nm), KrF(248nm) 업그레이드 버전.
- 12인치, 8인치 웨이퍼 양산 라인의 대표적인 노광 기술인 트윈스캔 구조.
- 가장 우수한 성능, 시장 최고의 생산성, 최저 원가가 트윈스캔(TWINSCAN) 구조의 장점.
- 이노사이언스는 올해 2분기 노광장비 첫 반입 예정.
- 3세대 반도체 양산에 ASML 트윈스캔 노광기술 첫 도입함으로써 3세대 반도체 제조기술 신기원 본격 진입 의미.
○이노사이언스
- 세계 첫 8인치 실리콘·질화갈륨(GaN-on-Si) 웨이퍼 및 전력반도체 양산 라인 구축.
- 주요 제품: 8인치 실리콘 질화갈륨 웨이퍼 및 30V-650V GaN 전력반도체.
- 세계 최고 수준 설계, 제조.
- PD 급속충전, 3D 카메라, 모바일기기 등 분야에서 광범위하게 활용됨.
○3세대 반도체 대표 소재 질화갈륨
- 전력반도체와 회로는 스위칭 고주파수와 고출력 밀도를 통해 효율적인 에너지 관리를 실현함. 이러한 기능은 데이터센터, 재생에너지, 차세대 무선통신망 등 빠르게 성장하는 신흥시장에 광범위하게 사용될 수 있음.
- 실리콘 질화갈륨은 작은 외형 사이즈는 물론 고주파수, 고출력 밀도 등의 특성으로 인해 급속충전, 직류전력망, 신에너지차 시장에서 이상적인 선택이 되고 있음.
- 3세대 반도체 재료는 질화갈륨(GaN), 탄화규소(SiC), 질화알루미늄(AlN), 금강석, 산화아연(ZnO)이며 질화갈륨(GaN)은 대표적인 3세대 반도체 소재로 시장 활용 전망이 밝음.
